[发明专利]光学记录介质

权利要求书

1.一种光学记录介质，其包含：

无机记录层；

设置在所述无机记录层的至少一个表面上且含有氧化铟的第一保护层；以及

邻接所述第一保护层设置且含有氧化钛、氧化锆、或氧化锡的第二保护层。

2.如权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述第一保护层含有氧化铟和氧化锡的复合氧化物、氧化铟和氧化铈的复合氧化物、或氧化铟和氧化镓的复合氧化物作为主要成分。

3.如权利要求1或2所述的光学记录介质，其中，所述第二保护层中氧化钛的含量大于或等于40摩尔％且小于或等于100摩尔％。

4.如权利要求1或2所述的光学记录介质，其中，所述第二保护层中氧化锆的含量大于或等于20摩尔％且小于或等于70摩尔％。

5.如权利要求1或2所述的光学记录介质，其中，所述第二保护层中氧化锡的含量大于或等于20摩尔％且小于或等于100摩尔％。

6.如权利要求1或2所述的光学记录介质，其中，所述第二保护层含有氧化钛作为主要成分，或者含有氧化锆、氧化硅、和氧化铟的复合氧化物作为主要成分，或者含有氧化锡和氧化钽的复合氧化物作为主要成分。

7.如权利要求1或2所述的光学记录介质，其中，所述第二保护层的平均厚度大于或等于2nm且小于或等于10nm。

8.如权利要求1或2所述的光学记录介质，其中，所述第一保护层以含氧化铟的复合氧化物作为主要成分，且该复合氧化物由式[(In₂O₃)_1-X(A)_X]表示，其中A表示氧化锡、氧化铈、或氧化钽，X满足0.05≤X≤0.75。

9.如权利要求1或2所述的光学记录介质，其中，所述第一保护层以含氧化铟的复合氧化物作为主要成分，且该复合氧化物由式[(In₂O₃)_1-X(A)_X]表示，其中A表示氧化铈或氧化钽，X满足0.15≤X≤0.75。

10.如权利要求1或2所述的光学记录介质，其中，所述无机记录层含有ZnS、SiO₂和Sb作为主要成分。

11.如权利要求10所述的光学记录介质，其中，所述无机记录层还含有选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn、和Tb的至少一种元素。

12.如权利要求11所述的光学记录介质，其中，所述无机记录层具有符合式(1)的组成：

[(ZnS)_x(SiO₂)_1-x]_y(Sb_zX_1-z)_1-y…(1)

其中0＜x≤1.0，0.3≤y≤0.7，且0.8＜z≤1.0，并且X是选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta、Ge、In、Cr、Sn、和Tb的至少一种元素。

13.如权利要求12所述的光学记录介质，其中，所述无机记录层的平均厚度大于或等于3nm且小于或等于40nm。