[发明专利]一种II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池

权利要求书

1.一种II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池，结构为：衬底/ZnSe基PIN结构的功能层/过渡层/电极，其特征是：这种太阳电池的吸收层为掺氧含量比较低的ZnSe，即ZnSe_1-xO_x，0＜x＜0.1。

2.如权利要求1所述的II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池，其特征是：衬底为ZnSe或GaAs单晶中的一种。

3.如权利要求1所述的II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池，其特征是：ZnSe基PIN结构的功能层指的是n型材料为n-ZnSe，本征层为i-ZnSe_1-xO_x，p型材料为p-ZnSe。

4.如权利要求3所述的II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池，其特征是：n-ZnSe材料的掺杂浓度是单一均匀的，载流子浓度不小于1×10¹⁶ cm^-3，厚度200～3000 nm；或者n-ZnSe材料的掺杂浓度是阶跃变化的，其中，重掺杂层载流子浓度为5×10¹⁷～5×10¹⁸ cm^-3，厚度为100～2000 nm，轻掺杂层载流子浓度为1×10¹⁶～4×10¹⁷ cm^-3，厚度为100～2000 nm。

5.如权利要求3所述的II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池，其特征是：i-ZnSe_1-xO_x厚度为1000～10000 nm。

6.如权利要求3所述的II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池，其特征是：p-ZnSe材料的掺杂浓度是单一均匀的，载流子浓度不小于1×10¹⁶ cm^-3，厚度20～500 nm；或者p-ZnSe材料的掺杂浓度是阶跃变化的，其中轻掺杂层载流子浓度为1×10¹⁶～4×10¹⁷ cm^-3，厚度为20～500 nm，重掺杂层载流子浓度为5×10¹⁷～1×10¹⁸ cm^-3，厚度为20～100 nm。

7.如权利要求1所述的II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池，其特征是：过渡层为ZnTe_0.1Se_0.9/HgSe复合层或p-ZnTe中的一种，厚度为10～80 nm。

8.如权利要求1所述的II-VI族稀释氧化物半导体薄膜太阳电池，其特征是：前电极材料为Au或Ni或Ni/Al中一种，背电极材料为In。