[发明专利]一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 201110197549.0 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102351533A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘心宇;崔业让;江民红;胡耀斌;袁昌来 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;C04B35/622 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 巢雄辉 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 烧结 高压电 性能 钛酸钡 钙基无铅 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷，其特征是：该锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷的化学组成通式为 (1-x)(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3-XMαOβ，其中：0＜x＜0.01，MαOβ表示氧化物，以(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3为基体，以MαOβ为助烧剂，经传统制陶工艺烧制而成。
2.根据权利要求1所述的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷，其特征是：所述MαOβ中的α和β分别表示相关氧化物中相应的元素M和氧的原子数；其M为Ce、Sm、Yb、Nd中的一种或几种元素。
3.权利要求1所述的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷的制备方法，包括湿磨、烘干、预烧、加入助烧剂、二次球磨、造粒、压制成型、烧结、打磨、披银和硅油中极化，其特征是：无铅压电陶瓷在烧结时以120℃/h的升温速度到600℃保温2h，再以120℃/h的升温速度到1300-1350℃保温2-6h烧结，烧结后，随炉冷却到室温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学，未经桂林电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110197549.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
