[发明专利]干涉滤光器、光模块及分析装置

权利要求书

1.一种干涉滤光器，其特征在于，

具备隔着间隙相对的两个反射膜，

所述反射膜包括合金膜，

所述合金膜是含有银(Ag)及金(Au)的Ag-Au合金膜、含有银(Ag)及铜(Cu)的Ag-Cu合金膜、含有银(Ag)、金(Au)及铜(Cu)的Ag-Au-Cu合金膜、含有银(Ag)、硅(Si)及铜(Cu)的Ag-Si-Cu合金膜、含有银(Ag)、磷(P)及铜(Cu)的Ag-P-Cu合金膜、含有银(Ag)、磷(P)、铟(In)及铜(Cu)的Ag-P-In-Cu合金膜、含有银(Ag)、碲(Te)及铜(Cu)的Ag-Te-Cu合金膜、含有银(Ag)、镓(Ga)及铜(Cu)的Ag-Ga-Cu合金膜以及含有银(Ag)、铟(In)及锡(Sn)的Ag-In-Sn合金膜中的任一种。

2.根据权利要求1所述的干涉滤光器，其特征在于，

所述反射膜的厚度在30nm以上80nm以下。

3.根据权利要求1或2所述的干涉滤光器，其特征在于，

所述Ag-Au合金膜的Au含量以原子数计在0.1％以上10％以下，

所述Ag-Cu合金膜的Cu含量以原子数计在0.1％以上10％以下，

所述Ag-Au-Cu合金膜的Au含量以原子数计在0.1％以上、Cu含量以原子数计在0.1％以上、且Au及Cu的合计含量以原子数计在10％以下，

所述Ag-Si-Cu合金膜的Si含量以原子数计在0.1％以上、Cu含量以原子数计在0.1％以上、且Si及Cu的合计含量以原子数计在10％以下，

所述Ag-P-Cu合金膜的P含量以原子数计在0.1％以上、Cu含量以原子数计在0.1％以上、且P及Cu的合计含量以原子数计在10％以下，

所述Ag-P-In-Cu合金膜的P含量以原子数计在0.1％以上、In含量以原子数计在0.1％以上、Cu含量以原子数计在0.1％以上、且P、In及Cu的合计含量以原子数计在10％以下，

所述Ag-Te-Cu合金膜的Te含量以原子数计在0.1％以上、Cu含量以原子数计在0.1％以上、且Te及Cu的合计含量以原子数计在10％以下，

所述Ag-Ga-Cu合金膜的Ga含量以原子数计在0.1％以上、Cu含量以原子数计在0.1％以上、且Ga及Cu的合计含量以原子数计在10％以下，

所述Ag-In-Sn合金膜的In含量以原子数计在0.1％以上、Sn含量以原子数计在0.1％以上、且In及Sn的合计含量以原子数计在10％以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的干涉滤光器，其特征在于，

所述反射膜是用所述合金膜形成的单层膜。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的干涉滤光器，其特征在于，

所述干涉滤光器具备支撑所述反射膜的基板，

所述反射膜包括电介质膜及所述合金膜，

从所述基板侧开始，所述电介质膜及所述合金膜依次设置于所述基板，

所述电介质膜是氧化钛(TiO₂)的单层膜或是层叠氧化钛(TiO₂)或五氧化钽(Ta₂O₅)层与氧化硅(SiO₂)或氟化镁(MgF₂)层而得的多层膜。

6.根据权利要求5所述的干涉滤光器，其特征在于，

所述反射膜包括所述电介质膜、所述合金膜及保护膜，

从所述基板侧开始，所述电介质膜、所述合金膜及所述保护膜依次设置于所述基板，

所述保护膜含有氧化硅(SiO₂)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiN)或氧化铝。

7.一种光模块，其特征在于，具备：

权利要求1至6中任一项所述的干涉滤光器；以及

检测由该干涉滤光器选出的光的光量的检测部。

8.一种分析装置，其特征在于，具备：

权利要求7所述的光模块；以及

基于所述检测部检出的光的光量实施光分析处理的处理部。

9.一种分析装置，其特征在于，具备：

权利要求1至6中任一项所述的干涉滤光器；

检测由该干涉滤光器选出的光的光量的检测部；以及

基于所述检测部检出的光的光量实施光分析处理的处理部。