[发明专利]一种聚噻吩与氧化锆复合敏感膜的制作方法无效

专利信息
申请号: 201110197741.X 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN102879464A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 李冬梅;周文;刘明;谢常青;侯成诚;汪幸;闫学锋 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G01N29/036 分类号: G01N29/036
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 噻吩 氧化锆 复合 敏感 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及声表面波气体传感器技术领域,特别涉及一种聚噻吩与氧化锆(ZrO2)复合敏感膜的制作方法。

背景技术

声表面波(SAW)气体传感器与其他类型的传感器相比有很多优良的特性,具有体积小、重量轻、精度高、分辨率高、抗干扰能力强、灵敏度高、有效检测范围线性好等众多特点。

SAW气体传感器的基本工作原理是通过SAW器件表面所覆盖的敏感膜对待侧气体的吸附,引起SAW传感器电导率和质量的变化,从而引起SAW振荡器的振荡频率的改变,以此来实现对气体的监控和测量,因此要制作出高灵敏度和质量的声表面传播波传感器器件,其中敏感膜的制作尤其的关键。

随着社会经济技术和工业的快速发展,现场实时监测的大气污染物的体积分数往往低至10-6甚至10-9的水平,这就要求监测污染气体的传感器要有足够的灵敏度和选择性。敏感膜是传感器器件制作过程中非常重要的一步,一个传感器灵敏度,检测质量的好坏很大程度上由膜质量的好坏而决定的。

自上世纪60年代以来,金属氧化物半导体气体传感器就以较高的灵敏度、响应迅速等优点占据气体传感器的半壁江山。但是这些传感器绝大部分需要在高温下检测才能达到一个良好的灵敏,选择特性和高温不仅影响传感器测量的稳定效果,而且会带来额外的功率损耗等问题,所以能够制作出在常温下快速、灵敏的检测低浓度的气体传感器显得特别的重要,这也给膜的制作提出了更高的要求。近些年又研究开发了一些新型材料,开发的热点主要集中在金属氧化物和聚合物的复合材料。

发明内容

(一)要解决的技术问题

有鉴于此,本发明的主要目的是提供一种用于检测SO2气体的聚噻吩与ZrO2复合敏感膜的制作方法。

(二)技术方案

为达到上述目的,本发明提供了一种聚噻吩与氧化锆复合敏感膜的制作方法,用于检测SO2气体,该方法包括:

将聚噻吩与氧化锆混合溶于乙醇中,制成聚噻吩与氧化锆的混合溶液;

对该聚噻吩与氧化锆的混合溶液进行超声振荡;

在双延迟线型振荡器的一条延迟线的敏感区域滴涂该混合溶液;

真空干燥,形成聚噻吩与氧化锆复合敏感膜。

上述方案中,所述将聚噻吩与氧化锆混合溶于乙醇中,制成聚噻吩与氧化锆的混合溶液的步骤,是将质量比为1∶1的聚噻吩与氧化锆均匀混合溶于3倍的乙醇中,制成聚噻吩与氧化锆的混合溶液。

上述方案中,所述对该聚噻吩与氧化锆的混合溶液进行超声振荡的步骤,是将该聚噻吩与氧化锆的混合溶液充分搅拌后置于超声机中振荡2个小时,使其充分分散。

上述方案中,所述在双延迟线型振荡器的一条延迟线的敏感区域滴涂该混合溶液的步骤,是用移液器吸取部分聚噻吩与氧化锆的混合溶液,并将该聚噻吩与氧化锆的混合溶液滴涂在双延迟线型振荡器的一条延迟线的敏感区域。

上述方案中,所述真空干燥的步骤,是将滴涂有混合溶液的器件放到真空干燥箱中干燥4小时去除其中的水分和有机物,形成聚噻吩与氧化锆复合敏感膜。

(三)有益效果

1、本发明提供的聚噻吩与氧化锆复合敏感膜的制作方法,其成膜技术是滴涂,相比其他磁控溅射、CVD、溶胶凝胶法等成膜技术,滴涂更简单、易操作、低成本,适合大批量生产。

2、本发明提供的聚噻吩与氧化锆复合敏感膜的制作方法,制作的是聚噻吩与氧化锆复合敏感膜,相较于一些金属氧化物需要高温检测,该聚噻吩与氧化锆复合敏感膜能在室温下检测SO2气体,相较于一些聚合物的响应和恢复时间需要几十分钟,该聚噻吩与氧化锆复合敏感膜的响应和恢复时间只要大约几十秒。

3、本发明提供的聚噻吩与氧化锆复合敏感膜的制作方法,制作的是聚噻吩与氧化锆复合敏感膜,该聚噻吩与氧化锆复合敏感膜选择性非常好,对SO2气体吸附性好,对NO2和CO2气体也有微弱吸附,但是该微弱吸附相对于SO2气体的吸附完全可以忽略。

附图说明

图1是基片的示意图。

图2是将聚噻吩与ZrO2制作成聚噻吩与氧化锆复合敏感膜的示意图,其中圆圈代表水分,三角符号代表有机物。

图3是将图2中所示的聚噻吩与氧化锆复合敏感膜去除水分和有机物后的示意图。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110197741.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top