[发明专利]铜互连结构的制作方法有效
| 申请号： | 201110198053.5 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102881633A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 彭冰清 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 制作方法 | ||
1.一种铜互连结构的制作方法，包括：
a）提供半导体衬底，所述半导体衬底的上表面形成有含氧介电层，在所述含氧介电层中形成有用于形成铜互连结构的沟槽；
b）在所述含氧介电层上和所述沟槽内形成钽金属层；
c）在所述钽金属层上形成铜锰晶种层；
d）在所述沟槽内的所述铜锰晶种层上形成所述铜互连结构，并执行退火工艺。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氧介电层的材料为氟硅玻璃或黑钻石。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述钽金属层的厚度在3nm以下。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铜锰晶种层中锰的含量为1%-2%。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺的退火温度为200oC-400oC。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺的保温时间为20-40分钟。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在执行所述步骤b）之前还包括预清洗步骤。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述d）步骤包括：
在所述铜锰晶种层上形成铜金属层；
执行所述退火工艺，以在所述铜金属层和所述含氧介电层之间形成含钽-锰-氧的扩散阻挡层；以及
去除所述含氧介电层上的所述扩散阻挡层和所述铜金属层，以形成所述铜互连结构。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述d）步骤之后还包括：在所述铜互连结构和所述含氧介电层上形成盖帽层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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