[发明专利]一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110198078.5 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN102260870A 公开(公告)日: 2011-11-30
发明(设计)人: 曹远迎;李耀耀;张永刚;顾溢;王凯 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: C23F1/02 分类号: C23F1/02;C30B33/10;H01L21/308;H01L21/467;G03F7/20
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 黄志达;谢文凯
地址: 200050 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 微米 尺寸 二维 介质 光子 晶体 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,包括:

(1)在衬底上用等离子增强化学气相沉积法沉积一层Si3N4,在Si3N4表面旋涂一层光刻胶并烘焙,得样品;

(2)将上述样固定于全息曝光系统的样品架上进行第一次曝光,然后将样品旋转90°进行第二次曝光,对垂直交叉曝光后的样品进行烘焙;

(3)将上述曝光后的样品放入显影液中进行分步显影,在光刻胶上形成柱状光子晶体结构;

(4)将上述显影后的样品超声清洗去除光刻胶,采用反应离子刻蚀法刻蚀Si3N4,以Si3N4为掩膜,采用电感耦合等离子体刻蚀法刻蚀衬底材料并去除残余的Si3N4,清洗干燥即得亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体。

2.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中的Si3N4层厚度为100nm,光刻胶层厚度为120-150nm。

3.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中的旋涂转速为6000rad/min,旋涂时间为30s。

4.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中的两次曝光时间均为40s。

5.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中的分布显影即为将曝光后的样品分步、多次的放入显影液中进行显影。

6.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中的显影液由体积比为2∶1的FHD320显影剂与去离子水配成。

7.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中的刻蚀Si3N4深度为110nm,刻蚀时间为90s。

8.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中的刻蚀衬底材料的深度为703nm,刻蚀时间为50s。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110198078.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top