[发明专利]一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法有效
申请号: | 201110198078.5 | 申请日: | 2011-07-15 |
公开(公告)号: | CN102260870A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 曹远迎;李耀耀;张永刚;顾溢;王凯 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C23F1/02 | 分类号: | C23F1/02;C30B33/10;H01L21/308;H01L21/467;G03F7/20 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人: | 黄志达;谢文凯 |
地址: | 200050 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微米 尺寸 二维 介质 光子 晶体 制备 方法 | ||
1.一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,包括:
(1)在衬底上用等离子增强化学气相沉积法沉积一层Si3N4,在Si3N4表面旋涂一层光刻胶并烘焙,得样品;
(2)将上述样固定于全息曝光系统的样品架上进行第一次曝光,然后将样品旋转90°进行第二次曝光,对垂直交叉曝光后的样品进行烘焙;
(3)将上述曝光后的样品放入显影液中进行分步显影,在光刻胶上形成柱状光子晶体结构;
(4)将上述显影后的样品超声清洗去除光刻胶,采用反应离子刻蚀法刻蚀Si3N4,以Si3N4为掩膜,采用电感耦合等离子体刻蚀法刻蚀衬底材料并去除残余的Si3N4,清洗干燥即得亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体。
2.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中的Si3N4层厚度为100nm,光刻胶层厚度为120-150nm。
3.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中的旋涂转速为6000rad/min,旋涂时间为30s。
4.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中的两次曝光时间均为40s。
5.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中的分布显影即为将曝光后的样品分步、多次的放入显影液中进行显影。
6.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(3)中的显影液由体积比为2∶1的FHD320显影剂与去离子水配成。
7.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中的刻蚀Si3N4深度为110nm,刻蚀时间为90s。
8.根据权利要求1所述的一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法,其特征在于:所述步骤(4)中的刻蚀衬底材料的深度为703nm,刻蚀时间为50s。
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