[发明专利]半导体器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件结构的方法，包括：

在半导体衬底上形成至少一条连续的栅极线；

绕所述栅极线形成栅极侧墙；

在所述栅极线的两侧，在所述半导体衬底中形成源/漏区；

绕所述栅极侧墙的外侧形成导电侧墙；以及

在预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅极，被隔离的导电侧墙部分形成相应单元器件的接触部。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

通过在预定区域处切断所述栅极线和导电侧墙，来实现器件间电隔离。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，还在预定区域处切断栅极侧墙。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

通过使所述栅极线和导电侧墙在预定区域处的部分转变为绝缘材料，来实现器件间电隔离。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，通过向预定区域处注入氧，使得所述栅极线和导电侧墙在预定区域处的部分转变为氧化物，来实现器件间电隔离。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，利用带应力的导电材料形成导电侧墙。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述导电侧墙包括：

提供拉应力的Al、Cr、Zr或其组合；或者

提供压应力的Al、Ta、Zr或其组合。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成导电侧墙之后，该方法进一步包括：

形成带应力的层间电介质层。

9.根据权利要求8所述的方法，所述层间电介质层包括：

提供拉应力的Al、Cr、Zr的氧化物或其组合；或者

提供压应力的Al、Ta、Zr的氧化物或其组合。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述导电侧墙之后，以及完成所述半导体器件结构的金属互连之前，进行器件间电隔离。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述导电侧墙形成之后且在进行器件间电隔离之前，所述方法进一步包括：

将所述栅极线或栅极线与栅极线下的栅介质去除以在所述栅极侧墙内侧形成开口；以及

在所述开口内形成替代栅极线或替代栅极线与栅介质。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，形成源/漏区的步骤进一步包括：在源/漏区进行硅化处理。

13.一种半导体器件结构，包括：

半导体衬底；

在半导体衬底上形成的多个单元器件，每一单元器件包括：

在所述半导体衬底上形成的栅极；

在所述栅极两侧形成的栅极侧墙；以及

在所述栅极侧墙的外侧形成的导电侧墙形式的接触部，

其中，沿栅宽方向相邻的单元器件各自的栅极、栅极侧墙和接触部由同一栅极线、同一栅极侧墙层和同一导电侧墙层形成，所述栅极线和导电侧墙层在所述相邻的单元器件之间的预定区域中包括电隔离部。

14.如权利要求13所述的半导体器件结构，其中，

所述电隔离部包括预定区域处所述栅极线和导电侧墙层中的切口，所述切口中填充有电介质材料。

15.如权利要求14所述的半导体器件结构，其中，所述切口还延伸贯穿所述栅极侧墙层。

16.如权利要求13所述的半导体器件结构，其中，

所述电隔离部包括由预定区域处所述栅极线和导电侧墙层的材料转变而来的绝缘材料。

17.如权利要求16所述的半导体器件结构，其中，所述绝缘材料包括氧化物。

18.如权利要求13所述的半导体器件结构，其中，所述接触部包括带应力的导电材料。

19.如权利要求18所述的半导体器件结构，其中，所述带应力的导电材料括：

提供拉应力的Al、Cr、Zr或其组合；或者

提供压应力的Al、Ta、Zr或其组合。

20.如权利要求13所述的半导体器件结构，还包括：

在所述半导体衬底以及单元器件上形成的带应力的层间电介质层。