[发明专利]发光二极管晶粒模块、其封装方法及其移取治具有效
申请号: | 201110198197.0 | 申请日: | 2011-07-15 |
公开(公告)号: | CN102244164A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 洪瑞华;洪志欣;邵世丰;刘恒 | 申请(专利权)人: | 财团法人成大研究发展基金会;柏光照明股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/54 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 晶粒 模块 封装 方法 及其 移取治具 | ||
1.一种发光二极管晶粒模块的封装方法,适于量产多个发光二极管晶粒模块,每一发光二极管晶粒模块包括至少一发光二极管晶粒,其特征在于,该封装方法包括:
一配置牺牲层步骤:在一基板上,配置一第一牺牲层;
一同步配置晶粒步骤:在该第一牺牲层尚未固化前,同步配置该些发光二极管晶粒于该第一牺牲层中;
一定义成型步骤:在固化的该第一牺牲层上,以一第一材料、一第二牺牲层以及一第二材料形成一支撑基层,其中该第二牺牲层定义一模块图像,该支撑基层包括该第一材料及该第二材料;以及
一蚀刻步骤:移除该第一牺牲层及该模块图像,以得到该些发光二极管晶粒模块,其中每一发光二极管晶粒模块包括对应的该支撑基层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒模块的封装方法,其特征在于,在该涂布牺牲层步骤中,该第一牺牲层的厚度不大于该些发光二极管晶粒的高度。
3.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒模块的封装方法,其特征在于,在该同步配置晶粒步骤之前,该封装方法更包括:
一排置晶粒步骤:将该些发光二极管晶粒置入一移取治具的一承载盘中对应的容放位置;以及
一移取晶粒步骤:同步且对应地移取置放于该承载盘中的该些发光二极管晶粒。
4.根据权利要求3所述的发光二极管晶粒模块的封装方法,其特征在于,在该排置晶粒步骤中,是以真空吸附、黏性贴附、磁性贴附、夹取或卡合方式,逐粒将每一发光二极管晶粒自一贴附在蓝胶上且包括该些发光二极管晶粒的晶圆上取下,并依序且一对一地将该些发光二极管晶粒置入该承载盘中呈阵列排列的容放位置。
5.根据权利要求3所述的发光二极管晶粒模块的封装方法,其特征在于,该移取治具包括多个吸头,在该移取晶粒步骤中,通过该移取治具的该些吸头,以真空吸取方式,同步且一对一地吸取置放于该承载盘中的该些发光二极管晶粒。
6.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒模块的封装方法,其特征在于,在该同步配置晶粒步骤之后,该封装方法更包括:
一固着晶粒步骤:令该第一牺牲层固化,以使该些发光二极管晶粒固着。
7.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒模块的封装方法,其特征在于,该定义成型步骤包括:
在固化的该第一牺牲层上,以该第一材料形成一反射镜膜;
以该第二牺牲层在该反射镜膜上定义该模块图像,形成多个独立且裸露区域;以及
以该第二材料分别在该些独立且裸露区域上形成一基底,其中每一基底所对应的该反射镜膜的区域为一反射镜,该些反射镜与该些基底共同形成该支撑基层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管晶粒模块的封装方法,其特征在于,每一发光二极管晶粒模块包括由对应的该支撑基层的一预定区块所构成的一光杯座,以及位于该光杯座中,一预定数目的该些发光二极管晶粒。
9.根据权利要求1所述的发光二极管晶粒模块的封装方法,其特征在于,该定义成型步骤包括:
在固化的该第一牺牲层上,以该第二牺牲层定义该模块图像,形成多个独立且裸露区域;以及
依序以该第一材料与该第二材料分别在该些独立且裸露区域上形成一反射镜和一基底,其中该些反射镜与该些基底共同形成该支撑基层。
10.根据权利要求9所述的发光二极管晶粒模块的封装方法,其特征在于,每一发光二极管晶粒模块包括由对应的该支撑基层的一预定区块所构成的一光杯座,以及位于该光杯座中,一预定数目的该些发光二极管晶粒。
11.根据权利要求9所述的发光二极管晶粒模块的封装方法,其特征在于,每一发光二极管晶粒模块的该反射镜包含一封闭沟槽或一封闭凸缘环绕该至少一发光二极管晶粒。
12.根据权利要求11所述的发光二极管晶粒模块的封装方法,其特征在于,每一个发光二极管晶粒模块更包括同步执行下列步骤:
形成一绝缘层于该封闭沟槽或该封闭凸缘上;
形成二导电层于该绝缘层上;
分别连接二导线于对应的该导电层与该至少一发光二极管之间;以及
形成一封胶于该至少一发光二极管晶粒上,其中该封闭沟槽或该封闭凸缘限制该封胶的形成范围,并且该二导线分别经由对应的该导电层向该封胶外部延伸。
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