[发明专利]有机薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种有机薄膜晶体管，包括基片、栅电极、源电极、漏电极、绝缘层和有源层，其特征在于：所述有源层包括由有机半导体材料组成的薄膜层，所述源电极和漏电极均是由掺杂剂和该有机半导体材料的混合物形成的薄膜层，其中掺杂剂的浓度为10-50wt％；

所述掺杂剂至少为NOPF₆、含Fe³⁺的盐和I₂中的任意一种。

2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述有源层由有机半导体材料形成的薄膜层组成，其厚度为100nm-1μm。

3.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述源电极和漏电极的厚度在50nm-2μm。

4.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体材料包括聚噻吩。

5.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述基片为硬质基底或柔性基底，所述硬质基底至少为硅片和玻璃制品中的任意一种。

6.如权利要求1所述有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该方法为：

以有机半导体材料的溶液在基片上沉积形成有机半导体薄膜后，再经退火处理，制得有源层；

而后以掺杂剂和该有机半导体材料的共混溶液在设于基片上的有源层上沉积电极材料层，再进行退火处理，从而形成具有设定形貌的源电极和漏电极；

所述掺杂剂至少为NOPF₆、含Fe³⁺的盐和I₂中的任意一种。

7.如权利要求6所述有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该方法具体包括如下步骤：

a.以有机溶剂和水依次对基片进行清洗，而后烘干备用，所述有机溶剂为丙酮和/或乙醇；

b.取聚噻吩溶液均匀涂覆在基片上，使其沉积形成100nm-1μm厚的均匀薄膜，再进行退火处理，制得有源层；

c.取掺杂剂和聚噻吩的共混溶液以印刷方式涂覆在有源层上，使其沉积形成电极材料层，再进行退火处理，制得具有设定形貌的源电极和漏电极；

前述退火处理是在温度为60-120℃的条件下进行，退火时间为30-60min。

8.如权利要求7所述有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该方法中是采用旋涂或印刷的方式将聚噻吩溶液涂覆在基片上，进而沉积形成薄膜的。

9.如权利要求6所述有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有机半导体材料包括聚噻吩。

10.如权利要求6所述有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述基片为硬质基底或柔性基底，所述硬质基底至少为硅片和玻璃制品中的任意一种。