[发明专利]一种闭路循环生产多晶硅的工艺

权利要求书

1.一种闭路循环生产多晶硅的工艺，包括以下几个步骤：

步骤(1)，氢气和氯气反应生成氯化氢；

步骤(2)，步骤(1)合成的氯化氢与冶金硅反应合成三氯氢硅；

步骤(3)，对步骤(2)合成产物进行分离提纯生产高纯三氯氢硅；

步骤(4)，步骤(3)生产的高纯三氯氢硅进入氢还原炉还原；

步骤(5)，步骤(4)反应后气体进入金属还原炉反应；

步骤(6)，对步骤(5)反应后气体循环至三氯氢硅合成，金属还原固体产物进行分离，金属氯化物电解后金属循环至金属还原炉，氯气循环至氯化氢合成。

2.根据权利要求1所述的工艺，其特征在于：三氯氢硅依次进入氢还原炉和金属还原炉还原。

3.根据权权利要求2所述的工艺，其特征在于：氢还原炉和金属还原炉中间不设分离装置，三氯氢硅氢还原的气体产物和未反应完全的三氯氢硅和氢气直接通过气体管路进入金属还原炉。

4.根据权利要求3所述的工艺，氢还原炉和金属还原炉中间的连接管路温度控制在200℃-1500℃之间，优选800-1100℃。

5.根据权利要求1所述的的工艺，其特征在于：步骤(5)金属还原反应后气体不经过分离提纯，直接通过气体管路进入步骤(1)进行循环利用。

6.根据权利要求1所述的的工艺，其特征在于：金属还原炉中使用的金属包括锌、镁、钠等活泼金属。