[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201110198380.0 | 申请日: | 2011-07-15 |
公开(公告)号: | CN102437138A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 山口义弘;大开美子 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L21/48;H01L25/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:
多个半导体芯片,形成在基板上;以及
板电极,冲压加工成将所述多个半导体芯片的电极间连接的预定图形,
所述板电极具有利用半冲压加工所形成的半切部,所述半切部的凸部侧与所述半导体芯片的所述电极接合。
2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述板电极还具有压花加工部,该压花加工部利用压花加工而形成在所述半切部上并且从所述半切部的所述凸部侧突出。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述半导体芯片在外周部具有保护环,
所述板电极的所述半切部外的部分与所述半导体芯片的所述保护环的间隔为0.6mm以上。
4.如权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,
与所述半导体芯片的所述保护环的角部分对应的所述板电极的区域被除去。
5.如权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述半切部的凸部的高度为所述板电极的厚度的一半以下。
6.如权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
还具有:电极柱,设置在正下方不存在所述半导体芯片的所述板电极的区域上;外部电极,与所述电极柱连接。
7.如权利要求6所述的半导体装置,其特征在于,
位于所述电极柱的周边的所述板电极的至少一部分被除去。
8.如权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,
所述半导体芯片以宽带隙半导体形成。
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