[发明专利]一种高压直流发光二极管芯片制造方法及其结构

权利要求书

1.一种高压直流发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)粗糙化导热转移衬底，增加用于倒装及键合的表面面积；在导热转移衬底上制作用于将多个LED芯片单元连接的串联电路单元，同时将不属于串联电路单元的其余衬底表面绝缘处理；

2)制作独立的采用蓝宝石衬底的LED芯片单元，并将独立的LED芯片单元进行分选；

3)将已经分选好的独立LED芯片单元倒装在已经制备有串联电路单元的导热转移衬底上，使多个LED芯片单元依次串联；

4)将倒装在导热转移衬底上的所有LED芯片单元一起再做低温高压键合工艺；

5)激光剥离所述蓝宝石衬底；

6)清洗剥离后的LED芯片单元；

7)研磨倒装有多个LED芯片单元的导热转移衬底，按照导热转移衬底上制作的串联电路单元划裂导热衬底，形成独立的高压直流LED。

2.根据权利要求1所述的高压直流发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤1)中，制作串联电路单元包括在导热转移衬底上制作用于LED芯片单元电极压焊的电极焊盘及串联多个LED芯片单元的金属互连线路。

3.根据权利要求1所述的高压直流发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤1)中，制作所述绝缘层将串联电路单元之外的导热转移衬底表面钝化绝缘。

4.根据权利要求3所述的高压直流发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述绝缘层采用SiO₂材料、SiN、TiN、TaN中的一种或其中多种组成的复合材料。

5.根据权利要求1所述的高压直流发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述导热转移衬底采用Si衬底或Cu衬底。

6.根据权利要求1所述的高压直流发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：步骤3)中的倒装工艺包括：利用倒装工艺将多个LED芯片单元的N电极和P电极与所述导热转移衬底上的串联电路单元连接，从而使多个LED芯片单元依次串联。

7.根据权利要求1所述的高压直流发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述低温高压键合工艺采用压力为2-4吨，温度为100-300摄氏度。

8.一种高压直流发光二极管芯片结构，其特征在于，包括：多个LED芯片单元和一个芯片基底；

所述LED芯片单元顺序包括N型半导体层、有源层和P型半导体层，以及分别与N型半导体层和P型半导体层电连接的N电极和P电极，所述N电极和P电极位于发光二极管芯片单元的同一面上；

所述芯片基底包括导热衬底、位于导热衬底上的绝缘层，以及位于绝缘层外的用于串联多个LED芯片单元的串联电路；

所述多个LED芯片单元倒装于所述芯片基底上，且所述多个LED芯片单元依次串联。

9.根据权利要求8所述的高压直流发光二极管芯片结构，其特征在于：所述用于串联多个LED芯片单元的串联电路包括用于LED芯片单元电极压焊的电极焊盘及串联多个LED芯片单元的金属互连线路。