[发明专利]一种GaN基蓝、绿光偏振出光二极管的封装结构无效
| 申请号： | 201110198894.6 | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102244184A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 曹冰;张桂菊;王钦华;黄奎;韩琴;王建峰;任国强;徐科 | 申请（专利权）人： | 苏州大学;苏州纳维科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/44 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 偏振 二极管 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1. 一种GaN基蓝、绿光偏振出光二极管的封装结构，包括一只或多只安置于基板上的GaN基蓝或绿光LED芯片，及封装壳体；其特征在于：在所述LED芯片（2）的出光面的上表面设置有偏振膜（1）；在基板（5）与LED芯片底部之间安置退偏振器（4），整体封装于壳体内部；所述的偏振膜为金属线栅结构或多层介质膜结构，对蓝或绿光波段的s或p光，其中一种偏振态为选择性通过，另一种偏振态为全反射。
2. 根据权利要求1所述的一种GaN基蓝、绿光偏振出光二极管的封装结构，其特征在于：所述的退偏振器包括采用具有梯度相位差的双折射材料，或具有退偏振效应的液晶材料。
3. 根据权利要求2所述的一种GaN基蓝、绿光偏振出光二极管的封装结构，其特征在于：所述的退偏振器用双折射材料为双解石、石英或冰洲石。
4. 根据权利要求2所述的一种GaN基蓝、绿光偏振出光二极管的封装结构，其特征在于：所述的退偏振器用液晶材料为向列项液晶、近晶相液晶或胆甾相液晶。
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