[发明专利]一种弯曲衬底侧面的发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，该芯片包括衬底层以及层叠于衬底层上的外延层，其特征在于，所述衬底的侧面是倾斜的或弯曲的，优选衬底的两两相对的侧面类似于平行四边形形状倾斜或弯曲。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述衬底的侧面与二极管芯片正面平面之间所成的角度为0～70°，优选为45°。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管芯片，其特征在于，该发光二极管芯片的外延层材料由掺杂的GaN/InGaN组成。

4.如权利要求1至3之一所述的发光二极管芯片，其特征在于，该发光二极管芯片的衬底层材料包括氧化铝、碳化硅、氧化锌、硅。

5.如权利要求1至4之一所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)、采用相对位置为(x，y，z)的两束激光束对二极管芯片进行划片加工，其中，y≠0，z≠0，所述二极管芯片包括衬底层和层叠于衬底层上的外延层；

2)、当y和z值满足y≤z≤D时，芯片被激光灼烧后产生的微裂纹能够连成一片，其中D为芯片的厚度；

3)、对芯片进行裂片加工，对芯片的灼烧位置进行弯曲和敲击，芯片沿着微裂纹的位置断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0且z≠0，灼烧痕迹间由于断裂形成的侧面相对于芯片正面平面是倾斜或弯曲的。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述两束激光束来自同一激光发生器聚焦系统，或者来自两个不同的激光发生器聚焦系统，或者来自更多不同的激光发生器聚焦系统。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：

当采用来自同一激光发生器聚焦系统的两束激光时，所述方法包括以下步骤：

1)、先用激光对wafer的正表面划片，并将wafer放入高温磷酸/硫酸中，腐蚀掉划道的灼烧面；

2)、再用激光对wafer的背面面划片，第二次划片时划痕位置与第一次不重合，从而可以认为两束激光间相对位置为(y，z)，y≠0，z≠0，当y≤z≤D时，其中D为芯片的厚度，wafer被激光灼烧后产生的微裂纹可以连成一片；

3)、对wafer进行裂片加工，将wafer顺着第二次划片的位置裂片，对wafer灼烧位置进行弯曲和敲击，wafer裂痕沿着微裂纹集中区域断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0，z≠0，则两次灼烧痕迹间的断裂面相对wafer正面是倾斜或弯曲的；

当采用来自两个激光发生器聚焦系统的两束激光时，所述方法包括以下步骤：

1)、采用两束相对位置为(x，y，z)的激光对同一wafer进行划片加工，其中y≠0，z≠0，其中一束光束透射到wafer内部聚焦，另一光束聚焦于wafer的表面；

2)、使用一束激光和另一束激光先后分别对wafer进行灼烧，当y和z值满足y≤z≤D时，D为芯片的厚度，wafer被激光灼烧后产生的微裂纹能够连成一片；

3)、对wafer进行裂片加工，对wafer灼烧位置进行弯曲和敲击，wafer裂痕沿着微裂纹集中区域断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0，z≠0，则两次灼烧痕迹间的断裂面相对wafer正面是倾斜或弯曲的；

当采用来自三个激光发生器聚焦系统的两束激光时，所述方法包括以下步骤：

1)、使一束光束投射到wafer的内部聚焦，使另外两束光束采用完全相同结构和性能参数的激光，另两束光束相对于一束光束分别固定于(x，y，z)和(-x，y，z)的坐标处，其中x＞0，y≠0，z≠0，三束激光作为一个整体系统对wafer进行划片：当激光向X轴正向运动时，控制一束光束和另两束光束中的一束开光，另两束光束中的另一束光束关光；当激光向X轴负向运动时，控制一束光束和另两束光束中的另一束开光，另两束光束中的一束开光；

2)当y和z值满足y≤z≤D时，其中D为芯片的厚度，wafer被激光灼烧后产生的微裂纹连成一片；

3)、对wafer进行裂片加工，对wafer灼烧位置进行弯曲和敲击，wafer裂痕沿着微裂纹集中区域断裂开来，从而形成侧面，由于y≠0，z≠0，则两次灼烧痕迹间的断裂面相对wafer正面是倾斜或弯曲的。

8.如权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，激光划片次数为2次以上。