[发明专利]SenseFET的替代电路有效
| 申请号： | 201110199553.0 | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102331810A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李进;雷晗;刘洪涛 | 申请（专利权）人： | 西安民展微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;赵爱军 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市科*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sensefet 替代 电路 | ||
1.一种SenseFET的替代电路，其特征在于，包括第一功率MOSFET、电流采样电阻和电压电流转换电路，其中，
所述第一功率MOSFET的源极一方面通过所述采样电阻接地，另一方面连接至所述电压电流转换电路的输入端；
所述电压电流转换电路，用于将流过所述第一功率MOSFET的负载电流在所述电流采样电阻上产生的电压信号，按预定比例转换为输出电流信号。
2.如权利要求1所述的SenseFET的替代电路，其特征在于，
所述第一功率MOSFET、所述电流采样电阻和所述电压电流转换电路集成于IC内部。
3.如权利要求1所述的SenseFET的替代电路，其特征在于，
所述电流采样电阻和所述电压电流转换电路集成于IC内部，所述第一功率MOSFET置于该IC外部。
4.如权利要求1所述的SenseFET的替代电路，其特征在于，
所述第一功率MOSFET和所述电压电流转换电路集成于IC内部，所述电流采样电阻置于该IC外部。
5.如权利要求1所述的SenseFET的替代电路，其特征在于，
所述电压电流转换电路集成于IC内部，所述第一功率MOSFET和所述电流采样电阻置于该IC外部。
6.如权利要求1所述的SenseFET的替代电路，其特征在于，
所述电压电流转换电路包括镜像电流源、第二MOSFET、转换电阻和运算放大器，其中，
所述镜像电流源的电流输入端与所述第二MOSFET的漏极连接；
所述第二MOSFET的源极一方面通过所述转换电阻接地，另一方面与所述运算放大器的反相输入端连接；
所述运算放大器的输出端与所述第二MOSFET的栅极连接；
所述运算放大器的同相输入端为所述电压电流转换电路的输入端；
所述镜像电流源的电流输出端为所述电压电流转换电路的输出端。
7.如权利要求6所述的SenseFET的替代电路，其特征在于，
所述镜像电流源包括第三MOSFET和第四MOSFET，其中，
所述第三MOSFET的源极和第四MOSFET的源极连接；
所述第三MOSFET的栅极和第四MOSFET的栅极连接；
所述第三MOSFET的栅极和漏极连接；
所述第三MOSFET的漏极为所述镜像电流源的电流输入端，所述第四MOSFET的漏极为所述镜像电流源的电流输出端。
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