[发明专利]基板组装设备以及使用基板组装设备的基板处理方法有效
申请号: | 201110199635.5 | 申请日: | 2011-07-15 |
公开(公告)号: | CN102338950A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 辛在爀;尹青龙;文成哲 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;H01L21/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组装 设备 以及 使用 处理 方法 | ||
1.一种基板组装设备,包括:
腔室部,具有内部空间;
上卡盘,设置在所述腔室部内部以支撑上基板;
基板支撑单元,设置为面向所述上卡盘以支撑下基板;以及
可垂直移动的提升构件,其一部分穿过所述基板支撑单元,
其中所述基板支撑单元包括:盘状的下支撑件;安装在所述下支撑件上的粘性卡盘,用以支撑所述下基板;以及多个支撑模块,所述多个支撑模块包括分别设置于所述粘性卡盘内部和外部的第一分离膜以及第二分离膜。
2.根据权利要求1所述的基板组装设备,其中所述多个支撑模块彼此隔开地设置在所述下支撑件上。
3.根据权利要求1所述的基板组装设备,其中所述提升构件穿过所述下支撑件的区域中没有安装所述多个支撑模块的区域。
4.根据权利要求1所述的基板组装设备,其中所述粘性卡盘具有其中央部分开放的形状,且所述第一分离膜设置在所述粘性卡盘内。
5.根据权利要求1或4所述的基板组装设备,其中在所述粘性卡盘的表面上设置多个突起。
6.根据权利要求1或4所述的基板组装设备,其中沿着所述粘性卡盘的内圆周以及外圆周设置向上突出的流体中断部件。
7.根据权利要求1或4所述的基板组装设备,其中提供第一喷嘴,所述第一喷嘴穿过所述粘性卡盘且具有一个末端暴露至所述粘性卡盘的表面,以连接第一气体调整单元,所述第一气体调整单元用以辅助所述下基板向所述粘性卡盘的附着与分离。
8.根据权利要求1所述的基板组装设备,其中所述第一分离膜与所述第二分离膜中的每一者是由可弹性变形的材料形成,且所述第一分离膜以及所述第二分离膜是在所述下基板的方向以及背离所述下基板的方向上弹性变形。
9.根据权利要求1或8所述的基板组装设备,其中提供对应于所述第一分离膜以及所述第二分离膜的后表面而设置的多个第二喷嘴,以连接第二气体调整单元,所述第二气体调整单元用以辅助所述下基板与所述第一分离膜以及所述第二分离膜的分离。
10.一种基板处理方法,包括:
制备基板;
将所述基板安置在包括多个支撑模块的基板支撑单元上,所述基板支撑单元包括粘性卡盘以及可弹性变形的第一分离膜与第二分离膜,所述粘性卡盘使用粘附力来支撑所述基板,所述可弹性变形的第一分离膜与第二分离膜设置在所述粘性卡盘的内部及外部;
使所述基板支撑单元的所述第一分离膜以及所述第二分离膜在设置所述基板的方向上弹性地且突出地变形,以使所述基板与所述粘性卡盘分离;以及
移动提升构件,所述提升构件的一部分穿过所述基板支撑单元以从所述基板支撑单元向上突出且将所述基板支撑在所述提升构件上,由此使所述基板从所述基板支撑单元的所述第一分离膜以及所述第二分离膜分离。
11.根据权利要求10所述的基板处理方法,其中所述基板包括垂直设置且彼此组装在一起的上基板以及下基板。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法,其中进一步包括在使所述基板与所述粘性卡盘分离之前,将所述上基板以及所述下基板粘结到彼此上且彼此组装在一起。
13.根据权利要求11所述的基板处理方法,其中在使所述基板从所述基板支撑单元分离时,彼此组装在一起的所述上基板与所述下基板从所述基板支撑单元分离。
14.根据权利要求10所述的基板处理方法,其中进一步包括,在使所述基板支撑单元的所述第一分离膜以及所述第二分离膜在设置所述基板的所述方向上弹性地且突出地变形以使所述基板从所述粘性卡盘分离之前,将气体注入到第一喷嘴中,所述第一喷嘴的一部分暴露到所述粘性卡盘的表面,以通过所述气体的注入压力来减小所述基板与所述粘性卡盘之间的耦合力。
15.根据权利要求10所述的基板处理方法,其中在使所述基板支撑单元的所述第一分离膜以及所述第二分离膜在设置所述下基板的所述方向上弹性地且突出地变形时,将气体注入设置在所述第一分离膜以及所述第二分离膜的后表面中的多个第二喷嘴中,以使用所述气体的所述注入压力来使所述第一分离膜以及所述第二分离膜在所述基板的所述方向上弹性地且突出地变形。
16.根据权利要求10所述的基板处理方法,其中在将所述基板支撑在所述提升构件上以使所述基板从所述基板支撑单元的所述第一分离膜以及所述第二分离膜分离时,从所述基板支撑单元向上突出的所述提升构件的末端是设置在所述第一分离膜以及所述第二分离膜上方。
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