[发明专利]中子准直器及中子散射谱仪无效
| 申请号： | 201110200109.6 | 申请日： | 2011-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN102324259A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陈东风;杨浩智;王雨;吴展华;田庚方;吴立齐;李眉娟;刘晓龙;韩松柏;孙凯;王洪立;刘蕴韬 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | G21K1/02 | 分类号： | G21K1/02;G01N23/20 |
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| 地址： | 102413*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中子 准直器 散射 | ||
1.一种中子准直器，包括框架和固定在框架上的若干层分隔片，相邻的两层分隔片之间形成中子透射通道，其特征在于，所述分隔片包括载体层和中子吸收层，所述载体层为金属箔，所述中子吸收层附着于所述载体层上。
2.根据权利要求1所述的中子准直器，其特征在于，所述的固定在框架上的若干层分隔片为：
所述框架包括若干层等距离排列分布的金属片，相邻的金属片之间固定有分隔片。
3.根据权利要求1所述的中子准直器，其特征在于，所述中子吸收层附着于所述载体层上为：所述中子吸收层附着于所述载体层的一侧或两侧。
4.根据权利要求1所述的中子准直器，其特征在于，所述金属箔的厚度为20-50微米。
5.根据权利要求1所述的中子准直器，其特征在于，所述金属箔为不锈钢箔或铝箔。
6.根据权利要求1所述的中子准直器，其特征在于，所述吸收层为的厚度为10-30微米。
7.根据权利要求6所述的中子准直器，其特征在于，所述吸收层为Gd2O3吸收层或Cd吸收层。
8.根据权利要求6所述的中子准直器，其特征在于，所述Gd2O3吸收层包含重量百分比为45-55％的Gd2O3和重量百分比为45-55％的水基粘合剂。
9.根据权利要求6所述的中子准直器，其特征在于，所述Gd2O3吸收层包含重量百分比为50％的Gd2O3和重量百分比为50％的水基粘合剂。
10.一种中子散射谱仪，其特征在于，包含根据权利要求1至8任一项所述的中子准直器。
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