[发明专利]重叠标记及其制备方法无效
申请号: | 201110201415.1 | 申请日: | 2011-07-19 |
公开(公告)号: | CN102800652A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 邱垂福 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;G03F9/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;邢雪红 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 重叠 标记 及其 制备 方法 | ||
1.一种重叠标记(5),位于一基板上,包括多个标记单元(54),其特征在于,每一所述标记单元(54)包括二纵向元件(56)及多个横向元件(58),所述多个横向元件(58)连接所述多个纵向元件(56)以形成多个孔洞(60),所述多个孔洞(60)显露该二纵向元件(56)间的部分基板。
2.如权利要求1所述的重叠标记(5),其特征在于,该重叠标记(5)形成于一硅基板(30)上。
3.如权利要求1所述的重叠标记(5),其特征在于,该重叠标记(5)由锗化硅、氧化硅或氮化硅形成。
4.如权利要求1所述的重叠标记(5),其特征在于,每一纵向元件(56)由二第一隔离层(561、562)融合衔接形成。
5.如权利要求4所述的重叠标记(5),其特征在于,该第一隔离层(561、562)具有一宽度(S1),该纵向元件(56)具有一宽度(X),该纵向元件(56)的宽度(X)小于该第一隔离层(561、562)的宽度(S1)的二倍。
6.如权利要求1所述的重叠标记(5),其特征在于,每一横向元件(58)由二第二隔离层(581、582)融合衔接形成。
7.如权利要求6所述的重叠标记(5),其特征在于,该第二隔离层(581、582)具有一宽度(S2),该横向元件(58)具有一宽度(Y),该横向元件(58)的宽度(Y)小于该第二隔离层(581、582)的宽度(S2)的二倍。
8.如权利要求1所述的重叠标记(5),其特征在于,该孔洞(60)为多边形或圆形,或其组合。
9.一种重叠标记制备方法,其特征在于,包含以下步骤:
形成一图案化层(10)于一基板上,其中该图案化层(10)包括至少一标记单元形成区域(12),每一所述标记单元形成区域(10)包括二纵向凹部(16)及多个横向凹部(18),所述多个横向凹部(18)连接所述多个纵向凹部(16);
由所述多个纵向凹部(16)及所述多个横向凹部(18)的侧壁成长一标记材料(22),使得该标记材料(22)于所述多个纵向凹部(16)及所述多个横向凹部(18)中融合衔接;及
移除该图案化层(10)。
10.如权利要求9所述的重叠标记制备方法,其特征在于,该图案化层(10)为一光阻层。
11.如权利要求10所述的重叠标记制备方法,其特征在于,该图案化层是(10)利用一蚀刻液移除的。
12.如权利要求11所述的重叠标记制备方法,其特征在于,该蚀刻液为丙酮。
13.如权利要求9所述的重叠标记制备方法,其特征在于,该重叠标记由锗化硅、氧化硅或氮化硅形成。
14.如权利要求1所述的重叠标记制备方法,其特征在于,成长该标记材料(22)的步骤包括由所述多个纵向凹部(16)的侧壁成长第一隔离层(561、562),以及由所述多个横向凹部(18)的侧壁成长第二隔离层(581、582)。
15.如权利要求14所述的重叠标记制备方法,其特征在于,该第一隔离层(561、562)具有一宽度(S1),该纵向凹部(16)具有一宽度(X′),该纵向凹部(16)的宽度(X′)小于该第一隔离层(561、562)的宽度(S1)的二倍。
16.如权利要求14所述的重叠标记制备方法,其特征在于,该第二隔离层(581、582)具有一宽度(S2),该横向凹部(18)具有一宽度(Y′),该横向凹部(18)的宽度(Y′)小于该第二隔离层(581、582)的宽度(S2)的二倍。
17.如权利要求9所述的重叠标记制备方法,其特征在于,每一所述标记单元形成区域(10)包括多个区块(20),排列于所述多个纵向凹部(16)及所述多个横向凹部(18)之间且相互间隔。
18.如权利要求17所述的重叠标记制备方法,其特征在于,该区块(20)为多边形或圆形,或其组合。
19.如权利要求9所述的重叠标记制备方法,其特征在于,该标记材料(22)是以低温化学气相沉积方法形成的。
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