[发明专利]一种带隙基准电压源电路无效
| 申请号： | 201110201605.3 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102331811A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 邓婉玲;黄君凯;杨帆 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | G05F3/30 | 分类号： | G05F3/30 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510630 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基准 电压 电路 | ||
1.一种带隙基准电压源电路，包括调整电阻和由MOS管组成的反馈环路，其特征在于：所述调整电阻包括串联在反馈环路反馈端的第一组调整电阻和串联在反馈环路输出端的第二组调整电阻；第一组调整电阻包括相串联的电阻R2和R3，第二组调整电阻包括相串联的电阻R2’和R3’，且第一组调整电阻的阻值与第二组调整电阻的阻值相等，电阻R2与R2’的阻值相等，电阻R3与R3’的阻值相等，电阻R2、R2’、R3与R3’的阻值均可调整。
2.根据权利要求1所述的带隙基准电压源电路，其特征在于：所述反馈环路包括MOS管M1a、MOS管M1b、MOS管M2、MOS管M3a、MOS管M3b、MOS管M4、MOS管M5及MOS管M6；其中，MOS管M1a的栅极与M2、M4的漏极相连，漏极与M3a的漏极相连，源极与电阻R2相连；MOS管M1b的栅极与M2的栅极以及M3b的漏极相连，漏极与M3b的漏极相连，源极与电阻R2相连；MOS管M2的漏极与M4的漏极相连，源极与电阻R2’相连；MOS管M3a的栅极与M3b的栅极以及M11的源极相连，源极与直流电压源VDD相连；MOS管M3b的栅极与M4的栅极相连，源极与直流电压源VDD相连；MOS管M4的源极与直流电压源VDD相连；MOS管M5的栅极与M4的栅极相连，漏极与R2相连，源极与直流电压源VDD相连；MOS管M6的栅极与M4的栅极相连，漏极与电阻R2’相连，源极与直流电压源VDD相连。
3.根据权利要求2所述的带隙基准电压源电路，其特征在于：进一步包括MOS管M7和MOS管M8；MOS管M7的栅极与M4的栅极相连，源极与直流电压源VDD相连；MOS管M8的栅极与M4的栅极相连，源极与直流电压源VDD相连；MOS管M3a、M3b、M4、M5、M6、M7及M8组成电流镜。
4.根据权利要求2所述的带隙基准电压源电路，其特征在于：进一步包括MOS管M10和MOS管M11；MOS管M10和MOS管M11成源极跟随器；MOS管M10的漏极与M11的源极相连，源极与地相连；MOS管M11的栅极与M1a的漏极相连，漏极与直流电压源VDD相连。
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