[发明专利]三维电路的制造方法

权利要求书

1.一种三维电路的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)提供一三维立体结构的本体；

(2)对上述本体进行表面前处理；

(3)对上述本体表面进行金属化处理，沉积形成一金属薄膜层；

(4)对上述金属薄膜层表面进行光阻涂布处理，形成一光阻保护层；

(5)对上述光阻保护层进行曝光/显影处理，形成一图案化光阻保护层；

(6)对显露的金属薄膜层进行蚀刻处理，形成图案化线路层；

(7)剥除上述图案化线路层上的光阻保护层；以及对上述图案化线路层表面进行化学镀层处理，形成一线路增厚层。

2.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体选自于天线、LED承载座、电路基板、连接器、电子装置或方向盘的其中一种立体结构。

3.根据权利要求2所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体是利用射出成型或烧结成型的其中一种方法所制成。

4.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体选自于高分子材料或陶瓷材料的其中一种。

5.根据权利要求4所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述高分子材料设为聚乙烯(PE)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、丙烯晴-丁二烯-苯乙烯共聚合物(ABS)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二酯(PBT)、液晶高分子聚合物(LCP)、聚酰胺(PA6/6T)、尼龙(Nylon)、共聚甲醛(POM)的其中一种或以上复合材料的其中一种；以及上述陶瓷材料设为氧化铝、氧化锆、氮化硅、碳化硅、钛酸钡的其中一种或以上复合材料的其中一种。

6.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述金属化处理，是利用溅镀或蒸镀方式，使金属沉积于本体表面形成金属薄膜层；上述沉积金属选自于镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)、锡(Sn)、铜(Cu)的其中一种或以上复合金属的其中一种。

7.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述金属化处理，是利用亚锡離子敏化及钯离子活化方式使天线本体表面活化形成金属薄膜层。

8.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述光阻涂布处理，是将感光液态光阻以浸涂或喷涂的方式，对金属薄膜层的表面涂布一光阻保护层，上述光阻保护层的感光液态光阻选自于正型或负型光阻的其中一种。

9.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述曝光/显影处理是利用雷射或紫外光源，依特定立体曝光线路图形的区域或位置直接照射于光阻保护层上，又上述立体曝光线路图形选自于图案化立体光罩或直接扫瞄图形的其中一种。

10.根据权利要求1所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述化学镀层金属选自于镍(Ni)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)、锡(Sn)、铬(Cr)、钯(Pd)的其中一种或以上复合金属的其中一种。

11.一种三维电路的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)提供一三维立体结构的本体；

(2)对上述本体进行表面前处理；

(3)对上述本体表面进行涂布处理，形成一光阻保护层；

(4)对上述光阻保护层进行曝光/显影处理，形成一图案化光阻保护层；

(5)对上述本体表面进行金属化处理，形成一图案化线路区域；

(6)剥除上述图案化光阻保护层；以及

(7)对上述图案化线路区域进行化学镀层处理，形成一线路增厚层。

12.根据权利要求11所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体选自于天线、LED承载座、电路基板、连接器、电子装置或方向盘的其中一种立体结构。

13.根据权利要求11所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体是利用射出成型或烧结成型的其中一种方法所制成。

14.根据权利要求11所述的三维电路的制造方法，其特征在于：所述本体选自于高分子材料或陶瓷材料的其中一种。