[发明专利]一种石墨涂层的制备方法有效
| 申请号： | 201110202178.0 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102888636A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 吕旺燕;曾潮流 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C25D9/08 | 分类号： | C25D9/08 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 涂层 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种石墨涂层的制备方法，其特征在于：在金属基体表面采用熔盐电沉积的方法制备石墨涂层。
2.按照权利要求1所述石墨涂层的制备方法，其特征在于：在800℃-950℃温度条件下，碳酸盐与卤化盐的混合熔盐中，通过恒电流或恒电位阴极还原碳酸根离子制备高结晶度石墨涂层，其中各种盐的配比必须保证混合盐的熔点低于电沉积温度。
3.按照权利要求1所述石墨涂层的制备方法，其特征在于：预先在金属基体表面沉积多弧离子镀铬层或镀钛层。
4.按照权利要求2所述石墨涂层的制备方法，其特征在于：所述恒电流电沉积电流密度为50~300mA/cm2，恒电位电沉积电压为1.8~4V。
5.按照权利要求1所述石墨涂层的制备方法，其特征在于：石墨涂层的厚度通过控制沉积时间控制。
6.按照权利要求1所述石墨涂层的制备方法，其特征在于：在制备过程中，通入氩气保护。
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