[发明专利]一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 201110202343.2 | 申请日： | 2011-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102306600A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 邹继军;常本康;张益军;金解云;邓文娟;彭新村 | 申请（专利权）人： | 东华理工大学 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J9/02 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 江西省抚州市*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 延伸 变带隙 algaas gaas 光电 阴极 及其 制备 方法 | ||
1. 一种蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极，该阴极由9741玻璃、SiO2钝化层、Si3N4增透膜、变带隙AlxGa1-xAs缓冲层、GaAs发射层以及Cs/O激活层组成，其特征在于：所述变带隙AlxGa1-xAs缓冲层，厚度为1~2μm，p型掺杂浓度(5~10)×1018cm-3，AlxGa1-xAs层Al组分由Si3N4增透膜往GaAs发射层方向由最大0.4~0.7线性下降到零。
2.根据权利要求1所述的蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极，其特征在于：所述Si3N4增透膜的厚度为60~100nm。
3.根据权利要求1所述的蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极，其特征在于：所述GaAs发射层的p型掺杂浓度优先为1×1019cm-3。
4.根据权利要求1或2所述的蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极，其特征在于：所述GaAs发射层的厚度为1~2μm。
5.如权利要求1所述的蓝延伸变带隙AlGaAs/GaAs光电阴极的制备方法，其特征在于：该方法按以下步骤依次进行，
步骤（1），准备GaAs衬底，GaAs衬底作“籽晶”要求其位错密度低于103cm-3，并且均匀性好，晶向朝（100）面偏3o切割；利用金属有机化合物气相沉积法（MOCVD）在GaAs衬底上顺序生长AlGaAs阻挡层，GaAs发射层和变带隙AlxGa1-xAs缓冲层；
步骤（2），在变带隙AlxGa1-xAs缓冲层上用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积一层Si3N4增透膜，然后再沉积一层SiO2钝化层，通过热压合，将该SiO2钝化层与9741玻璃粘接；
步骤（3），用选择性化学腐蚀法将GaAs衬底和AlGaAs阻挡层去除，裸露GaAs发射层；
步骤（4），在超高真空系统中进行Cs/O激活，在GaAs发射层上形成一层Cs/O激活层。
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