[发明专利]一种太阳能单晶硅埚底料的处理方法无效
| 申请号： | 201110202451.X | 申请日： | 2011-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102351189A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 汪培琦;陆伟民;廖长苏 | 申请（专利权）人： | 浙江开化同力电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C01B33/12 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 舒良 |
| 地址： | 324300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能 单晶硅 埚底料 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种太阳能单晶硅埚底料的处理方法，其特征在于将埚底硅料破碎至颗料状，放置在用四氧化三硅涂料刷抹底部和内壁的坩埚内，将装有颗粒状埚底料的坩埚放入中频感应电炉，开启电源使炉内温度升高至1450～1550℃，保温一定时间，使颗粒状埚底料在坩埚内全部重熔，然后关掉电源，待自然冷却，可得到已分离的硅与石英。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能单晶硅埚底料的处理方法，其特征在于将埚底硅料破碎至颗料状，其粒径在3～12mm之间。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能单晶硅埚底料的处理方法，其特征在于开启电源使炉内温度升高至1450～1550℃，保温时间在10～30分钟之间。
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