[发明专利]一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法

权利要求书

1.一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法，主要包括镀铝膜及激光烧结工序，其特征在于：

所述镀铝膜为真空镀膜，用以形成与晶体硅表面附着力良好的铝电极；

所述激光烧结为在真空条件下，用激光对附着铝电极的晶硅面进行烧结，以形成背表面电场；

所述晶体硅在激光烧结时具有本底温度，以加快烧结过程；

2.根据权利要求1所述的一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法，其特征在于所述真空镀膜为蒸发镀膜和溅射镀膜。

3.根据权利要求1及权利要求2所述的一种激光烧结制备晶体硅电池背电极

的方法，其特征在于当真空镀膜采用溅射镀膜时，其膜厚控制在0.5-1.0μ之间。

4.根据权利要求1所述的一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法，其特征在于当真空镀膜采用蒸发镀膜时，其膜厚控制在1.0-2.0μ之间。

5.根据权利要求1所述的一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法，其特征在于激光烧结采用连续式激光器。

6.根据权利要求1所述的一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法，其特征在于激光烧结的本底真空度范围为10-10^-3pa。

7.根据权利要求1及权利要求6所述的一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法，其特征在于激光烧结时本底温度为0-500℃。

8.根据权利要求1、权利要求6及权利要求7所述的一种激光烧结制备晶体硅电池背电极的方法，其特征在于激光烧结温度在800-1000℃。