[发明专利]半导体元件制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件制造方法，包括下列步骤：

提供基板，该基板上方已形成有硅栅极结构；

对该硅栅极结构的硅表面进行改性工艺，进而将该硅栅极结构的硅表面特性由疏水性改变成亲水性；

于该基板上方形成掩模结构；

利用已进行完该改性工艺的该硅栅极结构与该掩模结构来对该基板进行掺质注入工艺；以及

使用包括湿式清洗步骤的掩模结构清除工艺来去除该掩模结构。

2.如权利要求1所述的半导体元件制造方法，其中该基板为硅基板，该硅基板上方完成浅沟槽隔离结构，该硅栅极结构与该硅基板之间完成栅极介电层。

3.如权利要求1所述的半导体元件制造方法，其中对该硅栅极结构的表面进行的该改性工艺包括下列步骤：

利用氧化工艺来对该硅栅极结构进行处理；以及

于该硅栅极结构的表面形成氧化硅薄层，该氧化硅薄层厚度小于20埃。

4.如权利要求3所述的半导体元件制造方法，其中该氧化硅薄层的厚度范围在10至20埃之间。

5.如权利要求3所述的半导体元件制造方法，其中氧化工艺为激发态氧原子氧化工艺，反应温度范围为200℃至300℃之间。

6.如权利要求3所述的半导体元件制造方法，其中氧化工艺为炉管氧化工艺，反应温度范围为800℃至1100℃之间。

7.如权利要求3所述的半导体元件制造方法，其中氧化工艺为化学氧化工艺，该化学氧化工艺是将该基板与该硅栅极结构浸泡于双氧水溶液中，该双氧水溶液的温度范围为25℃至80℃之间。

8.如权利要求1所述的半导体元件制造方法，其中于该基板上方形成的该掩模结构为光致抗蚀剂材料。

9.如权利要求8所述的半导体元件制造方法，其中该掩模结构清除工艺包括灰化工艺，用于温度范围25℃至300℃之间，通入氧气来去除以该光致抗蚀剂材料完成的该掩模结构。

10.如权利要求1所述的半导体元件制造方法，其中该掺质注入工艺包括离子注入，用以形成P型或N型的掺杂区域。

11.如权利要求1所述的半导体元件制造方法，还包括下列步骤：

于该基板与该硅栅极结构上方沉积间隙壁材料层；以及

利用各向异性蚀刻来除去部分的间隙壁材料层，用于该硅栅极结构的侧壁表面上形成间隙壁结构。

12.如权利要求11所述的半导体元件制造方法，其中该间隙壁材料层包括二氧化硅层以及氮化硅层。

13.如权利要求1所述的半导体元件制造方法，其中形成的该硅栅极结构包括含硅材料与位于该含硅材料上的介电掩模层。