[发明专利]一种低辐射镀膜玻璃

权利要求书

1.一种低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基板、电介质层、牺牲层、保护层、Ag膜层，其特征在于：所述Ag膜层沉积在MOx:Sb膜层之上，所述MOx:Sb膜层中的M为金属元素Zn、Ti、Sn、Zr中任意一种或几种组合，当M为Zn时x取值在0＜x≤1；当M为Ti、Sn、Zr中任意一种时x取值在0＜x≤2；当M为金属元素Zn、Ti、Sn、Zr中的几种组合时x取值在0＜x≤3。

2.根据权利要求1所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述MOx:Sb膜层中Sb的含量为0.01wt％～10wt％。

3.根据权利要求2所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述MOx:Sb膜层中Sb的含量为0.05wt％～4wt％。

4.根据权利要求1-3之一的低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述MOx:Sb膜层厚度为5～50nm。

5.一种低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基板、电介质层、牺牲层、保护层、Ag膜层，其特征在于：该玻璃膜层结构依次为：玻璃基板、底层电介质膜层、MOx:Sb膜层、Ag膜层、第一牺牲膜层、顶层电介质膜层、保护膜层，所述MOx:Sb膜层中的M为金属元素Zn、Ti、Sn、Zr中任意一种或几种组合，当M为Zn时x取值在0＜x≤1；当M为Ti、Sn、Zr中任意一种时x取值在0＜x≤2；当M为金属元素Zn、Ti、Sn、Zr中的几种组合时x取值在0＜x≤3。

6.一种低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基板、电介质层、牺牲层、保护层、Ag膜层，其特征在于：该玻璃膜层结构依次为：玻璃基板、底层电介质膜层、MOx:Sb膜层、Ag膜层、第一牺牲膜层、第一电介质膜层、MOx:Sb膜层、Ag膜层、第二牺牲膜层、顶层电介质膜层、保护膜层，所述MOx:Sb膜层中的M为金属元素Zn、Ti、Sn、Zr中任意一种或几种组合，当M为Zn时x取值在0＜x≤1；当M为Ti、Sn、Zr中任意一种时x取值在0＜x≤2；当M为金属元素Zn、Ti、Sn、Zr中的几种组合时x取值在0＜x≤3。

7.一种低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基板、电介质层、牺牲层、保护层、Ag膜层，其特征在于：该玻璃膜层结构依次为：玻璃基板、底层电介质膜层、MOx:Sb膜层、Ag膜层、第一牺牲膜层、第一电介质膜层、MOx:Sb膜层、Ag膜层、第二牺牲膜层、第二电介质膜层、MOx:Sb膜层、Ag膜层、第三牺牲膜层、顶层电介质膜层、保护膜层，所述MOx:Sb膜层中的M为金属元素Zn、Ti、Sn、Zr中任意一种或几种组合，当M为Zn时x取值在0＜x≤1；当M为Ti、Sn、Zr中任意一种时x取值在0＜x≤2；当M为金属元素Zn、Ti、Sn、Zr中的几种组合时x取值在0＜x≤3。

8.一种低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基板、电介质层、牺牲层、保护层、Ag膜层，其特征在于：该玻璃膜层结构依次为：玻璃基板、底层电介质膜层、MOx:Sb膜层、Ag膜层、 第一牺牲膜层、第一电介质膜层、MOx:Sb膜层、Ag膜层、第二牺牲膜层、第二电介质膜层、MOx:Sb膜层、Ag膜层、第三牺牲膜层、第三电介质膜层、MOx:Sb膜层、Ag膜层、第四牺牲膜层、顶层电介质膜层、保护膜层，所述MOx:Sb膜层中的M为金属元素Zn、Ti、Sn、Zr中任意一种或几种组合，当M为Zn时x取值在0＜x≤1；当M为Ti、Sn、Zr中任意一种时x取值在0＜x≤2；当M为金属元素Zn、Ti、Sn、Zr中的几种组合时x取值在0＜x≤3。

9.根据权利要求1-3之一或5-8之一所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于：底层电介质膜层、第一电介质膜层、第二电介质膜层、第三电介质膜层、顶层电介质膜层和保护膜层选用以下的一种或多种材料组合：SnOx、TiOx、ZnOx、SiNx、ZnxSnyOn、ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiNOx，其膜层厚度为5～90nm；第一牺牲层、第二牺牲层、第三牺牲层和第四牺牲层选用以下的一种材料：NiCr、Ti、Nb、NiCrOx、Sb，其膜层厚度为1～5nm。

10.根据权利要求1-3之一或5-8之一所述的低辐射镀膜玻璃，其特征在于：该低辐射镀膜玻璃用于制作成汽车夹层玻璃或汽车中空玻璃。