[发明专利]附着聚酰亚胺层的密封环结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板，具有密封环区域和电路区域；

密封环结构，设置在所述密封环区域之上；

第一钝化层，设置在所述密封环结构之上，所述第一钝化层具有在所述密封环结构之上的第一钝化层孔；

金属焊盘，设置在所述第一钝化层之上，所述金属焊盘通过所述第一钝化层孔与所述密封环结构连接并且具有在所述第一钝化层孔之上的金属焊盘孔；

第二钝化层，设置在所述金属焊盘之上，所述第二钝化层具有在所述金属焊盘孔之上的第二钝化层孔；以及

聚酰亚胺层，设置在所述第二钝化层之上，所述聚酰亚胺层填充所述第二钝化层孔，以在所述聚酰亚胺层的外部锥形边缘处形成聚酰亚胺根部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述密封环结构由设置在所述电路区域周围的金属层的叠层构成，其中，所述金属焊盘与通过所述第一钝化层孔暴露的所述密封环结构的顶部金属层接触，其中，所述第一钝化层由氧化硅或氮化硅形成，所述第二钝化层由氮化硅或氧化硅形成，或者，所述第一钝化层和所述第二钝化层由相同材料构成，其中，所述聚酰亚胺层具有约5μm至约10μm之间的厚度，其中，所述聚酰亚胺层的所述外部锥形边缘与水平线成约70度至约75度之间的角度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

多个第一钝化层孔，在所述密封环结构之上；

多个金属焊盘孔，在所述多个第一钝化层孔之上；

多个第二钝化层孔，在所述多个金属焊盘孔之上；以及

多个聚酰亚胺根部，设置在所述多个金属焊盘孔之上。

4.一种半导体器件，包括：

基板，具有密封环区域和电路区域；

密封环结构，设置在所述密封环区域之上；

第一钝化层，设置在所述密封环结构之上，所述第一钝化层具有在所述密封环结构之上的第一钝化层孔；

金属焊盘，设置在所述第一钝化层之上，所述金属焊盘通过所述第一钝化层孔与所述密封环结构连接并且具有在所述第一钝化层孔之上的金属焊盘孔；

第二钝化层，设置在所述金属焊盘之上，所述第二钝化层具有使所述金属焊盘孔暴露的第二钝化层孔；以及

聚酰亚胺层，设置在所述第二钝化层之上，所述聚酰亚胺层填充所述第二钝化层孔，以形成与所述金属焊盘接触的聚酰亚胺根部。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述密封环结构由设置在所述电路区域周围的金属层的叠层构成，其中，所述金属焊盘与通过所述第一钝化层孔暴露的所述密封环结构的顶部金属层接触，其中，分别地，所述第一钝化层由氧化硅或氮化硅形成，并且所述第二钝化层由氮化硅或氧化硅形成，或者，所述第一钝化层和所述第二钝化层由相同材料构成。

6.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有密封环区域和电路区域的基板；

在所述密封环区域之上形成密封环结构；

在所述密封环结构之上形成第一钝化层；

在所述第一钝化层中形成所述密封环结构之上的第一钝化层孔；

在所述第一钝化层孔之上形成金属焊盘，以将所述金属焊盘与通过所述第一钝化层孔暴露的所述密封环结构连接；

在所述金属焊盘中形成在所述第一钝化层孔之上的金属焊盘孔；

在所述金属焊盘之上形成第二钝化层；

在所述第二钝化层中形成在所述金属焊盘孔之上的第二钝化层孔；以及

在所述第二钝化层之上形成聚酰亚胺层，所述聚酰亚胺层填充所述第二钝化层孔，以在所述聚酰亚胺层的外部锥形边缘处形成聚酰亚胺根部。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述聚酰亚胺层被形成为具有约5μm至约10μm之间的厚度，其中，所述聚酰亚胺层被形成为使所述聚酰亚胺层的所述外部锥形边缘与水平线成约70度至约75度之间的角度。

8.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：

在所述密封环结构之上形成多个第一钝化层孔；

在所述多个第一钝化层孔之上形成多个金属焊盘孔；

在所述多个金属焊盘孔之上形成多个第二钝化层孔；以及

形成设置在所述多个金属焊盘孔之上的多个聚酰亚胺根部。