[发明专利]具有低K材料的三维集成电路结构

权利要求书

1.一种器件，包括：

中介层，其中不包含有源器件，其中，所述中介层包括：

基板；

基板通孔(TSV)，穿透所述基板；以及

第一介电层，位于所述基板上方，其中，所述第一介电层的第一k值小于大约3.8。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一k值小于大约3.5或者3.0，所述基板是包含硅的半导体基板或者是介电基板。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述中介层进一步包括：

多个第二介电层，位于所述基板上方；以及

再分配线，形成在所述多个第二介电层中，其中，所述多个第二介电层中的至少一个第二介电层的第二k值小于大约3.8，所述再分配线的临界尺寸大于大约0.3μm。

4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，进一步包括：

第一管芯；以及

金属凸块，将所述第一管芯接合到所述中介层的第一面，其中所述第一介电层位于所述基板和所述管芯之间。

5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述第一介电层是所述中介层的顶部介电层，或者

所述中介层进一步包括：顶部介电层，形成在所述第一介电层上方，其k值大于所述第一介电层的第一k值。

6.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，进一步包括：

底部填充材料，设置在所述第一管芯和所述中介层之间，其中，所述第一介电层与所述底部填充材料相接触；或者

封装基板，接合到所述中介层的第二面，所述中介层的第二面与所述中介层的第一面相对；或者

第二管芯，接合到所述中介层的第二面，所述中介层的第二面与所述中介层的第一面相对。

7.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述第一管芯包括：第三介电层，所述第三介电层的第三k值小于大约3.8，

其中所述第一介电层的所述第一k值和所述第三介电层的所述第三k值之间的差小于大约1.5。

8.一种形成器件的方法，包括：

提供中介层基板，所述中介层基板具有第一面和第二面，所述第二面与所述第一面相对；

形成基板通孔(TSV)，所述基板通孔穿过所述中介层基板；

在所述中介层基板的所述第一面上形成多个层间介电(ILD)层；

在所述多个ILD层中形成再分配线；

在所述多个ILD层上方形成顶部介电层；以及

将第一管芯接合到所述中介层基板的所述第一面，其中，所述第一管芯位于所述顶部介电层上方，并且至少一个所述ILD层和所述顶部介电层的k值小于大约3.8。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括：

将第二管芯接合到所述中介层基板的所述第二面；或者

将封装基板接合到所述中介层基板的所述第二面；或者

在所述第一管芯和所述中介层基板之间形成金属凸块。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一管芯包括：介电层，其k值小于大约3.8。