[发明专利]识别具有较差的亚阈斜率或较弱的跨导的非易失存储器元件的方法

权利要求书

1.一种用于确定包含多个存储元件的一非易失存储器中的有缺陷存储元件的方法，其中所述元件的数据状态是所述元件的电流-电压特征的一函数，所述方法包含：

将所述存储元件的一第一个编程为一状态，其中由响应一第一组偏压条件的施加而流过所述存储元件的一第一电流电平确定所述状态；

施加一与所述第一组偏压条件不同的第二组偏压条件至所述第一存储元件；

确定一参数，所述参数可指示响应于所述第二组偏压条件的施加而流过所述第一存储元件的所述电流电平；和

基于所述参数的值确定所述第一存储元件是否是有缺陷的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组偏压条件包含低于所述第一组偏压条件中的所述控制栅极电压的一控制栅极电压，且所述确定所述第一存储元件是否是有缺陷的包含：

确定响应于所述第二组偏压条件的施加的流过所述第一存储元件的所述电流电平是否高于一第一电流电平。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包含：

在对所述第一存储元件进行编程之前，使所述第一存储元件经受一定数目的程序擦除循环。

4.根据权利要求3所述的方法，其中程序擦除循环的所述数目大于一千。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述方法是作为所述存储器的一初始测试的部分而执行。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二组偏压条件的所述控制栅极电压大约为零伏特。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组偏压条件包含高于所述第一组偏压条件中的所述控制栅极电压的一控制栅极电压，且所述确定所述第一存储元件是否是有缺陷的包含：

确定响应于所述第二组偏压条件的施加而流过所述第一存储元件的所述电流电平是否低于一第一电流电平。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二组偏压条件的所述控制栅极电压大约是所述第一组偏压条件中的所述控制栅极电压的两倍。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组偏压条件包含一源极-漏极区域电压，

所述源极-漏极区域电压不同于所述第一组偏压条件中的一源极-漏极区域电压。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述确定所述第一存储元件是否是有缺陷的包含：

确定获得与响应于所述第一组偏压条件的施加而流过所述第一存储元件的电流电平相同的一电流电平所需的控制栅极电压的改变。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述确定所述第一存储元件是否是有缺陷的包含：

与一固定标准比较控制栅极电压的改变。

12.根据权利要求9所述的方法，其中存储器具有一NAND型架构，且所述第一存储元件的所述源极-漏极区域处的电压与所述第一存储元件所在的所述相同的NAND串中的所述其它存储元件中的一个或一个以上的所述控制栅极电压相关。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法是作为所述存储器的一初始测试的部分而执行。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法是在所述存储器的所述操作之后执行。

15.根据权利要求1所述的方法，其中响应于一错误校正码(ECC)响应而执行所述方法。

16.根据权利要求1所述的方法，其中响应于所执行操作的所述数目而执行所述方法。

17.根据权利要求1所述的方法，其中随机地选择所述第一存储元件。

18.根据权利要求1所述的方法，进一步包含：

响应于所述确定所述第一存储元件是否是有缺陷的，逻辑地重新映射所述第一存储元件。