[发明专利]一种改变静电保护器件触发电压的方法及装置无效
| 申请号： | 201110204619.0 | 申请日： | 2011-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102290340A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 姜一波;杜寰;曾传滨;王立新 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L27/02;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改变 静电 保护 器件 触发 电压 方法 装置 | ||
1.一种改变静电保护器件触发电压的方法，其特征在于，包括：
在静电保护器件的漏极进行掺杂注入；
所述漏极掺杂注入的杂质类型与漏极杂质类型相同或相反。
2.如权利要求1所述的一种改变静电保护器件触发电压的方法，其特征在于，还包括：
当所述漏极掺杂注入的杂质类型与漏极杂质类型相同时，掺杂范围覆盖整个漏极掺杂注入区。
3.如权利要求1所述的一种改变静电保护器件触发电压的方法，其特征在于，还包括：
当所述漏极掺杂注入的杂质类型与漏极杂质类型相反时，掺杂范围不需要覆盖整个漏极掺杂注入区。
4.如权利要求1-3任一项所述的一种改变静电保护器件触发电压的方法，其特征在于：
所述漏极掺杂注入的杂质位于漏极的下方或侧方。
5.一种改变静电保护器件触发电压的装置，其特征在于：
所述静电保护器件的漏极设置有漏极掺杂注入区；
所述漏极掺杂注入区注入的杂质类型与漏极杂质类型相同或相反。
6.如权利要求5所述的一种改变静电保护器件触发电压的装置，其特征在于：
当所述漏极掺杂注入区注入的杂质类型与漏极杂质类型相同时，掺杂范围覆盖整个漏极掺杂注入区。
7.如权利要求5所述的一种改变静电保护器件触发电压的装置，其特征在于：
当所述漏极掺杂注入区注入的杂质类型与漏极杂质类型相反时，掺杂范围不需要覆盖整个漏极掺杂注入区。
8.如权利要求5-7任一项所述的一种改变静电保护器件触发电压的装置，其特征在于：
所述漏极掺杂注入区位于漏极的下方或侧方。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
