[发明专利]基板处理装置、基板处理方法、程序和计算机存储媒体

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法、程序和计算机存储媒体。

背景技术

例如在半导体装置的制造中的光刻处理中依次实施：例如在半导体晶片(以下称晶片)上涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、对抗蚀剂膜的周边部进行选择性地曝光的周边曝光处理、在周边部已被曝光的抗蚀剂膜使规定的图案曝光的曝光处理、使曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理等，由此在晶片上形成规定的抗蚀剂的图案。

此外，对以上述方式实施光刻处理的晶片，通过检查装置实施所谓的宏观缺陷检查。宏观缺陷检查能在各种定时实施，例如在周边曝光处理后实施。这样的情况下，检查是否在晶片表面形成有规定的抗蚀剂膜或者是否有伤、附着异物等。

这样的宏观缺陷检查，在检查装置中，例如一边使装置有晶片的载置台移动，一边从照明部通过半透明反射镜对载置台上的晶片进行照射，并且由上述半透明反射镜反射来自晶片的反射光，通过例如CCD(Charge-Coupled Device，电荷耦合器件)线路传感器的摄像装置取入晶片的图像。然后，对该图像进行图像处理判定有无缺陷(专利文献1)。

此外，上述的光刻处理和缺陷检查由例如涂敷显影处理装置和曝光装置实施。在涂敷显影处理装置设置例如实施上述的抗蚀剂涂敷处理的抗蚀剂涂敷装置和实施显影处理的显影处理装置等的液处理装置，或者除了实施周边曝光处理的周边曝光装置，还设置有实施晶片的检查的检查装置。即，检查装置与周边曝光装置等分开设置。并且在涂敷显影处理装置也设置将晶片输送到各处理装置的输送装置(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

【专利文献1】特开2007-240519号公报

发明内容

发明要解决的问题

这里，为了得到没有像的变形特别是没有端部的变形的高精度的图像，要确保载置台上的晶片与摄像装置之间的光路的工作距离尽可能的长。但是，在专利文献1记载的检查装置中，由于有装置空间的限制，在俯视时的摄像装置、照明部和半透明反射镜的配置已经决定，所以很难将摄像装置与照明部(半透明反射镜)之间的工作距离变长。因此，存在由摄像装置摄像的晶片的图像上产生变形的情况，存在不能适当地实施晶片的检查的情况。

此外，以上述方式采用专利文献1的涂敷显影处理装置时，在周边曝光装置的周边曝光处理结束的晶片由输送装置输送到检查装置。这样的情况下，将晶片从周边曝光装置输送到检查装置的过程中，上述输送装置不能用于其他晶片的输送。即，尽管对其他的晶片的处理结束，能输送到别的处理装置，但是必须使该其他的晶片待机，产生输送等待。因而，对晶片处理的处理能力有改善余地。

本发明是鉴于上述问题而做出的，目的是在周边曝光处理后的基板的检查中，取得没有像的变形的高精度的图像，适当地进行检查，并提高包含该检查的基板处理的处理能力。

解决问题的方法

为了达成上述目的，本发明是基板的处理装置，其特征在于，包括：保持基板的保持部；使被上述保持部保持的基板旋转的旋转驱动部；使上述保持部在交接位置与周边曝光位置之间移动的移动机构，所述交接位置是与外部之间实施基板的交接的位置，所述周边曝光位置是对形成于基板上的涂敷膜的周边部实施周边曝光处理的位置；设置于上述周边曝光位置侧，对被所述保持部保持的基板上的涂敷膜的周边部进行曝光的曝光部；设置于上述周边曝光位置侧的所述曝光部的上方，对被上述保持部保持的基板摄像的摄像部；和设置于上述交接位置与上述周边曝光位置之间，改变在被上述保持部保持的基板与上述摄像部之间形成的光路的方向的方向转换部，上述方向转换部包括：第一反射镜，其使从上述基板向垂直方向上方反射的光在上述周边曝光位置侧向水平方向反射；第二反射镜，其使从上述第一反射镜来的光在上述交接位置侧以规定的反射角向斜上方反射；第三反射镜，其使从上述第二反射镜来的光在上述周边曝光位置侧向水平方向反射且送入上述摄像部。

由于本发明的方向转换部具有第一反射镜、第二反射镜和第三反射镜，因此能不改变俯视时的摄像部的位置，使被保持部保持的基板与摄像部之间的光路的工作距离变长。因而，能在摄像部取得抑制了像的变形的高精度的图像，能适当地实施基板的检查。