[发明专利]半亚光真空电镀工艺有效
申请号: | 201110205126.9 | 申请日: | 2011-07-21 |
公开(公告)号: | CN102268640A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 陆琪宏 | 申请(专利权)人: | 杭州三晶工艺塑料有限公司 |
主分类号: | C23C14/20 | 分类号: | C23C14/20;C23C14/18;C23C14/02;C23C14/58 |
代理公司: | 杭州华知专利事务所 33235 | 代理人: | 张德宝 |
地址: | 311116 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 亚光 真空 电镀 工艺 | ||
1.一种半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述工艺采用如下步骤——
(1)产品表面处理,所述产品为塑料制品或玻璃制品;
(2)底漆调制:在底漆中加入5%-30%重量比的消光剂;
(3)底漆喷涂及干燥;
(4)真空镀膜:真空镀膜的膜厚为25nm-5000nm,镀膜层为铝层或铬层;
(5)面漆调制:在面漆中加入5%-30%重量比的消光浆;
(6)面漆喷涂及干燥。
2.根据权利要求1所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述产品为塑料制品,所述步骤(3)的喷涂中底漆和半成品均加热到30℃-60℃,流水线线速为5m/min-15m/min;所述步骤(6)的喷涂中面漆和镀膜产品均加热到30℃-60℃,流水线线速为5m/min-15m/min。
3.根据权利要求1所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述产品为玻璃制品,所述底漆中含有0.4%-0.6%的佑谦F110附着力促进剂。所述步骤(3)的喷涂中底漆和半成品均加热到60℃-80℃,流水线线速为5m/min-15m/min;所述步骤(6)的喷涂中面漆和镀膜产品均加热到60℃-80℃,流水线线速为5m/min-15m/min。
4.根据权利要求1-3任一项所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(3)和步骤(5)中的喷涂均采用空气净化喷涂。
5.根据权利要求1-3任一项所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(3)和步骤(6)中的干燥均采用紫外线光照干燥。
6.根据权利要求1-3任一项所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(2)中的消光剂为超细二氧化硅、滑石粉、硬脂酸铝、硬脂酸钙、低分子热塑性树脂的至少一种。
7.根据权利要求1-3任一项所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(5)中的消光浆为佑谦3802A。
8.根据权利要求2所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(3)和步骤(5)中的喷涂均采用空气净化喷涂;所述步骤(3)和步骤(6)中的干燥采用紫外线光照干燥。
9.根据权利要求3所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(3) 和步骤(5)中的喷涂均采用空气净化喷涂;所述步骤(3)和步骤(6)中的干燥采用紫外线光照干燥。
10.根据权利要求8或9所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(2)中的消光剂为超细二氧化硅、滑石粉、硬脂酸铝、硬脂酸钙、低分子热塑性树脂的至少一种。
11.根据权利要求8或9所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(5)中的消光浆为佑谦3802A。
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