[发明专利]半亚光真空电镀工艺有效

专利信息
申请号: 201110205126.9 申请日: 2011-07-21
公开(公告)号: CN102268640A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 陆琪宏 申请(专利权)人: 杭州三晶工艺塑料有限公司
主分类号: C23C14/20 分类号: C23C14/20;C23C14/18;C23C14/02;C23C14/58
代理公司: 杭州华知专利事务所 33235 代理人: 张德宝
地址: 311116 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 亚光 真空 电镀 工艺
【权利要求书】:

1.一种半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述工艺采用如下步骤——

(1)产品表面处理,所述产品为塑料制品或玻璃制品;

(2)底漆调制:在底漆中加入5%-30%重量比的消光剂;

(3)底漆喷涂及干燥;

(4)真空镀膜:真空镀膜的膜厚为25nm-5000nm,镀膜层为铝层或铬层;

(5)面漆调制:在面漆中加入5%-30%重量比的消光浆;

(6)面漆喷涂及干燥。

2.根据权利要求1所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述产品为塑料制品,所述步骤(3)的喷涂中底漆和半成品均加热到30℃-60℃,流水线线速为5m/min-15m/min;所述步骤(6)的喷涂中面漆和镀膜产品均加热到30℃-60℃,流水线线速为5m/min-15m/min。

3.根据权利要求1所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述产品为玻璃制品,所述底漆中含有0.4%-0.6%的佑谦F110附着力促进剂。所述步骤(3)的喷涂中底漆和半成品均加热到60℃-80℃,流水线线速为5m/min-15m/min;所述步骤(6)的喷涂中面漆和镀膜产品均加热到60℃-80℃,流水线线速为5m/min-15m/min。

4.根据权利要求1-3任一项所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(3)和步骤(5)中的喷涂均采用空气净化喷涂。

5.根据权利要求1-3任一项所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(3)和步骤(6)中的干燥均采用紫外线光照干燥。

6.根据权利要求1-3任一项所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(2)中的消光剂为超细二氧化硅、滑石粉、硬脂酸铝、硬脂酸钙、低分子热塑性树脂的至少一种。

7.根据权利要求1-3任一项所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(5)中的消光浆为佑谦3802A。

8.根据权利要求2所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(3)和步骤(5)中的喷涂均采用空气净化喷涂;所述步骤(3)和步骤(6)中的干燥采用紫外线光照干燥。

9.根据权利要求3所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(3) 和步骤(5)中的喷涂均采用空气净化喷涂;所述步骤(3)和步骤(6)中的干燥采用紫外线光照干燥。

10.根据权利要求8或9所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(2)中的消光剂为超细二氧化硅、滑石粉、硬脂酸铝、硬脂酸钙、低分子热塑性树脂的至少一种。

11.根据权利要求8或9所述的半亚光真空电镀工艺,其特征在于:所述步骤(5)中的消光浆为佑谦3802A。 

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