[发明专利]发光器件

说明书

该申请要求在2010年7月16日提交的韩国专利申请No.10-2010-0068938和10-2010-0068937的权益，正如在此得到充分阐述的那样，其全部内容通过引用结合于此。

技术领域

实施例涉及一种发光器件。

背景技术

由于薄膜生长技术和器件材料的发展，包括使用III-V或者II-VI族化合物半导体材料的发光二极管的发光器件产生各种颜色的光，例如红光、绿光、蓝光和紫外光，并且使用荧光材料或者通过颜色混合而产生具有高效率的白光。此外，与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，该发光器件具有诸如低功耗、半永久寿命、快速响应时间、稳定性和环境友好性的优点。

因此，这些发光器件越来越多地被应用于光学通信单元的传输模块、替代构成液晶显示器(LCD)器件的背光单元的冷阴极荧光灯(CCFL)的发光二极管背光单元、使用替代荧光灯或者白炽灯的白光发光二极管的照明设备、用于车辆的头灯和交通灯。

发明内容

相应地，实施例涉及一种发光器件。

实施例将提供一种发光器件。

实施例将在随后的说明中部分地阐述并且将部分地在阅读下述内容时对于本领域普通技术人员而言变得明显或者可以从实施例的实施得以领会。通过在书面说明和其权利要求中特别地指出的结构以及附图，可以实现并且获得所述实施例。

如在这里体现和一般性描述地，一种发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层，该有源层包括由具有第一电子能量的氮化物半导体材料形成的第一组成的阱层和由具有比第一电子能量高的电子能量的氮化物半导体材料形成的第二组成的势垒层的至少一种组合，并且被构造成使得阱层和势垒层垂直交替地堆叠；以及界面层，其设置在第二导电型半导体层和有源层之间或者在第一导电型半导体层和有源层之间，其中该界面层包括具有不同的能量带隙的第一层、第二层和第三层，第一层和第二层的能量带隙大于在有源层中的势垒层的能量带隙，并且第三层的能量带隙小于在有源层中的势垒层的能量带隙。

第一层的能量带隙可以大于第二层的能量带隙。

第一层、第二层和第三层中的至少一个的面内晶格常数可以大于在有源层中的势垒层的面内晶格常数。

第一层、第二层和第三层中的至少一个的面内晶格常数可以等于在有源层中的势垒层的面内晶格常数。

界面层的平均面内晶格常数可以大于在有源层中的势垒层的面内晶格常数。

界面层的平均面内晶格常数可以等于在有源层中的势垒层的面内晶格常数。

界面层的第一层、第二层和第三层可以依序地设置在从有源层朝向第二导电型半导体层或者第一导电型半导体层的方向上。

可以在依序地设置第一层、第二层和第三层之后，进一步地设置第一层。

界面层的第一层可以接触有源层。

该发光器件可以进一步包括设置在有源层和界面层之间的势垒层。

第一层、第二层和第三层中的每一个可以具有化学式Al_xIn_yGa_1-x-yN(这里，0≤x，y≤1)。

第一层和第二层中的每一个可以具有化学式Al_xIn_yGa_1-x-yN(这里，0≤y≤0.82，0≤x≤0.43)。

第一层和第二层中的每一个可以具有3.4～4.7eV的能量带隙。第一层和第二层中的每一个可以具有的面内晶格常数。

第一层可以具有1～10nm的厚度。

第一层和第二层的厚度的总和可以大于5nm。

第一层、第二层和第三层的厚度的总和可以大于10nm。

第一导电型半导体层可以是N型半导体层且第二导电型半导体层可以是P型半导体层，或者第一导电型半导体层可以是P型半导体层且第二导电型半导体层可以是N型半导体层。

在该实施例的另一个方面，一种发光器件封装包括以上发光器件。

在该实施例的又一个方面，一种照明系统包括电路板、设置在电路板上的上述发光器件以及用于引导从发光器件发射的光的光导。

应该理解，实施例的、前面的一般说明和以下详细描述这两者都是示例性的和解释性的，并且旨在对于要求保护的实施例提供进一步的解释。

附图说明