[发明专利]大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片无效
| 申请号： | 201110205653.X | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102332630A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 郝敏 | 申请（专利权）人： | 苏州市新诚氏电子有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/22 | 分类号： | H01P1/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大功率 氮化 陶瓷 150 30 db 衰减 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片，其特征在于：其包括一9.55*6.35*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻，所述导线连接所述电阻形成衰减电路，所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
2.根据权利要求1所述的大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片，其特征在于：所述玻璃保护膜及导线上印刷有第一黑色保护膜，所述第一黑色保护膜上印刷有一介质层，所述介质层上印刷有第二黑色保护膜。
3.根据权利要求1所述的大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片，其特征在于：所述背导层、导线由导电银浆印刷而成，所述电阻由电阻浆料印刷而成。
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