[发明专利]等离子体处理装置和方法

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，其特征在于：

在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成所述处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，

该等离子体处理方法具有：向所述第一电极施加直流电压的工序；和一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序，

在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，使用CF₄、Ar、N₂、CHF₃的组合作为所述处理气体。

2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述第一电极为上部电极，所述第二电极为下部电极。

3.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述直流电压为绝对值大于由向所述第一电极施加的第一高频电力在该第一电极的表面产生的自偏压的负电压。

4.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

向所述第一电极施加的第一高频电力的频率为13.56～60MHz，向所述下部电极施加的第二高频电力的频率为300kHz～13.56MHz以下。

5.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述绝缘膜为有机类绝缘膜。

6.如权利要求5所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述有机类绝缘膜为SiOC类膜。

7.如权利要求6所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述SiOC类膜的底膜由碳化硅(SiC)形成。

8.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述直流电压的绝对值为1500V以下。

9.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

处理压力为1.3～26.7Pa。

10.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

向所述第一电极施加的第一高频电力为3000W以下。

11.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

向所述第二电极施加的第二高频电力为100～5000W。

12.一种等离子体处理方法，其特征在于：

在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成所述处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，

该等离子体处理方法具有：向所述第一电极施加直流电压的工序；和一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序，

在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的有机反射防止膜进行蚀刻时，使用CH₂F₂、CHF₃、Ar、O₂的组合作为所述处理气体。

13.如权利要求12所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述第一电极为上部电极，所述第二电极为下部电极。

14.如权利要求12所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述直流电压为绝对值大于由向所述第一电极施加的第一高频电力在该第一电极的表面产生的自偏压的负电压。

15.如权利要求12所述的等离子体处理方法，其特征在于：

向所述第一电极施加的第一高频电力的频率为13.56～60MHz，向所述下部电极施加的第二高频电力的频率为300kHz～13.56MHz以下。

16.如权利要求12所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述直流电压的绝对值为1500V以下。

17.如权利要求12所述的等离子体处理方法，其特征在于：

处理压力为1.3～26.7Pa。