[发明专利]等离子体处理装置和方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；

在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；

向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；

向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；

向所述第一电极施加直流电压的直流电源；

向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和

设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个均可变。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

还包括控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个的控制装置。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制装置控制可否从所述直流电源向所述第一电极施加直流电压。

5.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

还包括对生成的等离子体的状态进行检测的检测器，根据该检测器的信息，所述控制装置控制从所述直流电源向所述第一电极的施加电压、施加电流和施加电力中的任一个。

6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一电极为上部电极，所述第二电极为下部电极。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：

向所述第二电极施加的第一高频电力的频率为27MHz以上。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

向所述第二电极施加的第一高频电力的频率为40MHz以上。

9.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：

向所述第二电极施加的第二高频电力的频率为13.56MHz以下。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述直流电源施加-2000～+1000V范围的电压。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一电极的与所述第二电极相对的面由含硅的物质形成。

12.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一电极相对于接地电位为直流浮动状态。

13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于：

具有能够将所述第一电极改变为浮动状态或接地状态的可变装置，根据来自整体控制装置的指令，当向所述第一电极施加直流电压时，所述可变装置使所述第一电极相对于接地电位成为浮动状态，当不向所述第一电极施加直流电压时，所述可变装置使所述第一电极相对于接地电位成为浮动状态或接地状态中的任一个。

14.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

为了使由向所述第一电极施加的来自所述直流电源的直流电压产生的电流通过等离子体放出，在所述处理容器内设置有总是接地的导电性部件。

15.如权利要求14所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一电极为上部电极，所述第二电极为下部电极，所述导电性部件设置在所述第二电极的周围。

16.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一电极为上部电极，所述第二电极为下部电极，所述导电性部件配置在所述第一电极的附近。

17.如权利要求16所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述导电性部件呈环状配置在所述第一电极的外侧。

18.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述导电性部件具有用于防止等离子体处理时的飞溅物附着的凹部。