[发明专利]紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法

权利要求书

1.一种紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

    步骤a：通过一掩模板传送装置将一掩模板传送至一密封紫外线膜腔内；

    步骤b：在紫外线模腔内通入反应气体；

    步骤c：通过紫外线光源发射出紫外光对掩模板上具有缺陷的部分进行照射，激发混合气体，对掩模板上具有缺陷的部分进行干法刻蚀。

2.    根据权利要求1所述的紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法，其特征在于，在步骤a之前通过一扫描设备对掩模板的缺陷进行扫描，以使得在步骤c中紫外线光源根据扫描设备的扫描结果对掩模板上的缺陷进行照射。

3.    根据权利要求1所述的紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法，其特征在于，通过一反应气体混合装置将气体通入紫外线模腔内。

4.    根据权利要求1所述的紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法，其特征在于，使气体混合装置具有一气体温控器，以控制气体混合装置排出气体的温度。

5.    根据权利要求1所述的紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法，其特征在于，在步骤b中将氮气、氧气、氩气、氢气、氟气、臭氧作为反应气体的主要成分。

6.   根据权利要求1所述的紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法，其特征在于，在步骤b中将气体的纯度控制在99.9％至99.99999％之间。

7.    根据权利要求1所述的紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法，其特征在于，在步骤b中将气体流量控制在0.001SCCM至1000SCCM之间。

8.    根据权利要求1所述的紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法，其特征在于，在步骤c通过紫外线光源进行照射的过程中，使掩模板在一定范围内进行前后移动和旋转，以扩大紫外光照射的范围。

9.根据权利要求1所述的紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法，其特征在于，步骤c中，在紫外线光源上设置透镜，以实现精确定位去除缺陷。

10.    根据权利要求1所述的紫外光配合反应气体的掩模板清洗方法，其特征在于，在掩模板周围设置多个光强控制器，以控制紫外线光强，从而在控制刻蚀速率。