[发明专利]在高介电常数金属栅工艺中避免损伤浅沟槽隔离的方法

权利要求书

1.一种在高介电常数金属栅工艺中避免损伤浅沟槽隔离的方法，在一衬底上形成浅沟槽隔离区域，其特征在于，包括以下步骤：

    在衬底上淀积一层刻蚀阻挡层；

对刻蚀阻挡层进行刻蚀，仅保留覆盖在器沟槽隔离区域上的刻蚀阻挡层；

在衬底上依次淀积一第一高介电常数层、一第一金属栅材料层和一第一多晶硅层，第一高介电常数层、第一金属栅材料层和第一多晶硅层同时覆盖在残留的刻蚀阻挡层上；

    对第一高介电常数层、第一金属栅材料层和第一多晶硅层进行刻蚀，仅保留浅沟槽隔离区域一侧的部分第一高介电常数层、第一金属栅材料层和多晶硅层；

    在衬底上依次淀积一第二高介电常数介质层、一第二金属栅材料层、一第二多晶硅层，第二高介电常数介质层、第二金属栅材料层、第二多晶硅层同时覆盖在残留的刻蚀阻挡层上；

    对第二高介电常数介质层、第二金属栅材料层、第二多晶硅层进行刻蚀，仅保留浅沟槽隔离区域另一侧的部分第二高介电常数介质层、第二金属栅材料层、第二多晶硅层；

    刻蚀去除残留的刻蚀阻挡层；

    在衬底上淀积第三多晶硅层作为覆盖层，进行刻蚀，在浅沟槽隔离区域的两侧形成第一栅结构和一第二栅结构。

2.    根据权利要求1所述的在高介电常数金属栅工艺中避免损伤浅沟槽隔离的方法，其特征在于，淀积Si3N4形成刻蚀阻挡层。

3.    根据权利要求1所述的在高介电常数金属栅工艺中避免损伤浅沟槽隔离的方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除部分第三多晶硅层、第一高介电常数层、第一金属栅材料层、第一多晶硅层，以在浅沟槽隔离的一侧形成第一栅结构，并同干法刻蚀时去除部分第三多晶硅层、第二高介电常数介质层、第二金属栅材料层、第二多晶硅层，以在浅沟槽区域的另一侧形成第二栅结构。

4.    根据权利要求1所述的在高介电常数金属栅工艺中避免损伤浅沟槽隔离的方法，其特征在于，对第一高介电常数层、第一金属栅材料层和第一多晶硅层进行刻蚀之前还包括：在第一多晶硅层上旋涂光刻胶，并进行光刻。

5.    根据权利要求1所述的在高介电常数金属栅工艺中避免损伤浅沟槽隔离的方法，其特征在于，在衬底上淀积的第二高介电常数介质层、第二金属栅材料层、第二多晶硅层还同时覆盖在残留的第一高介电常数层、第一金属栅材料层和第一多晶硅层上。