[发明专利]悬浮薄膜型可见光图像到红外图像转换芯片无效
申请号: | 201110206822.1 | 申请日: | 2011-07-22 |
公开(公告)号: | CN102354697A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 钱丽勋;李卓;韩阶平;范增名;吴峰霞 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学;北京金盛微纳科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 郭德忠;李爱英 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 悬浮 薄膜 可见光 图像 红外 转换 芯片 | ||
1.悬浮薄膜型可见光图像到红外图像转换芯片,其特征在于,包括衬底(1)和薄膜像元阵列(3),其中:
所述衬底(1)是由导热性极好的材料制成的,衬底(1)上设计有多个开孔(4),各开孔(4)等间距排列,在每个开孔(4)上覆盖一块薄膜(2),各薄膜(2)相互独立,所有相同的薄膜(2)构成薄膜像元阵列(3),每个开孔(4)的另一侧允许可见光通过。
2.如权利要求1所述的悬浮薄膜型可见光图像到红外图像转换芯片,其特征在于,所述衬底(1)的面积和厚度的设计尺寸根据需要生成的红外图像的性能指标来选定:
所述衬底(1)的面积根据需要生成的红外图像的空间分辨率来选定:需要生成的红外图像的空间分辨率越高,设计的所述衬底(1)的面积越大;
所述衬底(1)的厚度根据需要生成的红外图像的温度分辨率来选定:需要生成的红外图像的温度分辨率越高,设计的所述衬底(1)的厚度越大。
3.如权利要求1所述的悬浮薄膜型可见光图像到红外图像转换芯片,其特征在于,所述薄膜(2)的结构尺寸根据需要生成的红外图像的性能指标来选定:
所述薄膜(2)的辐射面积根据需要生成的红外图像的转换温度和图像刷新频率来选定:需要生成的红外图像的转换温度越高以及图像刷新频率越高,设计的所述薄膜(2)的辐射面积越小;
所述薄膜(2)与衬底(1)的接触面积根据需要生成的红外图像的转换温度和图像刷新频率来选定:需要生成的红外图像的转换温度越高,设计的所述薄膜(2)与衬底(1)的接触面积越小,需要生成的红外图像的图像刷新频率越高,设计的所述薄膜(2)与衬底(1)的接触面积越大;
所述薄膜(2)之间的间隔根据需要生成的红外图像的温度分辨率来选定:需要生成的红外图像的温度分辨率越高,设计的所述薄膜(2)之间的间隔越大。
4.如权利要求1所述的悬浮薄膜型可见光图像到红外图像转换芯片,其特征在于,所述薄膜(2)的材料属性根据需要生成的红外图像的性能指标来选定:
所述薄膜(2)的材料的热传导系数根据需要生成的红外图像的转换温度和图像刷新频率来选定:需要生成的红外图像的转换温度越高,选取的所述薄膜(2)的材料的热传导系数越低,需要生成的红外图像的图像刷新频率越高,选取的所述薄膜(2)的材料的热传导系数越高;
所述薄膜(2)的材料的比热容根据需要生成的红外图像的转换温度来选定:需要生成的红外图像的转换温度越高,选取的所述薄膜(2)的材料的比热容越低。
5.如权利要求1所述的悬浮薄膜型可见光图像到红外图像转换芯片,其特征在于,所述薄膜(2)为在所述衬底(1)上进行碳化或沉积形成高可见光吸收率物质;
或者,所述薄膜(2)为在所述衬底(1)上镀制或悬浮高可见光透过率膜,在该高可见光透过率膜上涂覆红外辐射膜而形成的物质。
6.如权利要求1所述的悬浮薄膜型可见光图像到红外图像转换芯片,其特征在于,所述薄膜(2)的薄膜形状为方形、圆形或多边形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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