[发明专利]一种晶体生长热场用保温桶

说明书

技术领域

本发明涉及一种人工晶体生产设备，特别涉及一种晶体生长热场保温桶。

背景技术

在晶体生长中，温度梯度的控制十分重要，控制热场的温度梯度更是生长出优质晶体材料的关键。不同的晶体材料不同的生长方法，对温度梯度要求不同，温度梯度成为生长出优质晶体的关键技术之一。传统的保温桶多采用单层保温装置，并且通过分别将保温桶或坩埚上下移动，使保温桶与坩埚产生相对位移，从而获得晶体生产所需的温度梯度。而采用这种方式，单层的保温结构，保温效果不明显；移动保温桶或坩埚影响晶体的生长环境，并且位移的精确度难以把握。

发明内容

为解决现有技术中存在的技术问题，本发明提供了一种保温效果良好、并能获得稳定的温度梯度的晶体生长热场保温桶。

本发明解决上述技术问题，所采用的技术方案是：提供一种晶体生长热场用保温桶，该保温桶包括外保温屏和内保温屏，所述外保温屏与所述内保温屏之间设有保温夹层，所述外保温屏与所述内保温屏采用钨、钼或钨、钼的组合物制成。

作为一优选方案，所述保温夹层内设有多根直杆、上圆环和下圆环，所述上圆环位于所述多根直杆的上方，所述下圆环位于多根直杆的下方，所述上圆环、下圆环用于固定所述多根直杆；所述多根直杆、上圆环和下圆环都是采用钨、钼或钨、钼的组合物制成。

作为一优选方案，所述直杆的长度小于所述外保温屏或所述内保温屏的长度，所述直杆在所述保温夹层内的高度可调。

作为一优选方案，所述直杆的截面形状是圆形、三角形、长方形。

作为一优选方案，所述内保温屏的内径是250mm-350mm、厚度3mm-6mm、高度300mm-360mm。

作为一优选方案，所述保温夹层的厚度为15mm-25mm。

作为一优选方案，所述直杆的长度为200mm-250mm。

本发明的上述技术方案相对于现有技术，取得的有益效果是：

(1)本发明采用双层保温屏(即内保温屏与外保温屏)的结构，以及在双层保温屏之间设有一保温夹层，加强了保温的效果，从而保证了晶体生产的高温环境；内保温屏与外保温屏采用钨、钼或钨、钼的组合物的材质制成，充分利用了钨、钼等材质熔点高、热传导性能好的特点，进一步保证了晶体的生产环境，并减少了能量损耗的特点。

(2)本发明所说的保温夹层进一步采用钨、钼或钨、钼的组合物制成的多根直杆、上圆环和下圆环，更进一步利用钨、钼等材质熔点高、热传导性能好的特点，为晶体的生长环境提供了保障，减少了能量的损耗。

(3)直杆的长度小于外保温屏或内保温屏的高度，直杆在保温夹层内的高度可以调节。可以根据晶体的生长需要，预先设定好直杆在保温夹层的高度，从而达到预期的晶体生长温度曲线。

(4)内保温屏的内径大小、厚度、高度可根据需要生产的晶体大小进行设置。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是本发明所述晶体生长热场保温桶剖视示意图；

图2是本发明所述晶体生长热场保温桶另一实施例剖视示意图；

图3是本发明所述晶体生长热场保温桶俯视示意图(去除上圆环)。

具体实施方式

为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白，以下结合附图和实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

如图1、图3所示，本发明所述的晶体生长热场保温，包括外保温屏10和内保温屏20，外保温屏10与内保温屏20之间设有保温夹层，保温夹层内设有多根直杆30、上圆环40和下圆环50，上圆环40位于多根直杆30的上方，下圆环50位于多根直杆30的下方，上圆环40、下圆环50用于固定多根直杆30。其中，外保温屏10、内保温屏20采用钨、钼或钨、钼的组合物制成，同理，多根直杆30、上圆环40和下圆环50都是采用钨、钼或钨、钼的组合物制成。

本发明采用双层保温屏结构(内保温屏10和外保温屏20)，以及在双层保温屏之间设有一保温夹层，加强了保温的效果，从而保证了晶体生产的高温环境。并且，上述双保温屏10、20、直杆30、上圆环40和下圆环50都采用钨、钼或钨、钼的组合物制成，充分利用了钨、钼等材质熔点高、热传导性能好的特点，进一步保证了晶体的生产环境，并减少了能量损耗的特点。