[发明专利]低压驱动电容负载的能量回收电路及其驱动方法无效
| 申请号： | 201110206962.9 | 申请日： | 2011-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN102332755A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 陈锋;奚剑雄 | 申请（专利权）人： | 杭州硅星科技有限公司 |
| 主分类号： | H02J15/00 | 分类号： | H02J15/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 王江成 |
| 地址： | 310012 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低压 驱动 电容 负载 能量 回收 电路 及其 方法 | ||
1.一种低压驱动电容负载的能量回收电路，包括负载电容CL和储能电容CST，储能电容CST的下极板接地，负载电容CL的下极板接地，其特征在于：所述的低压驱动电容负载的能量回收电路还包括电感L、第一开关管、第二开关管和第四开关管，所述第一开关管的第一导通端与电源VDD电连接，所述第二开关管的第二导通端接地，所述第一开关管的第二导通端与所述第二开关管的第一导通端电连接于节点C，所述节点C与负载电容CL的上极板电连接，所述第四开关管的第二导通端与电感L的第一导通端电连接，所述电感L的第二导通端与节点C电连接，所述第四开关管的第一导通端与储能电容CST的上极板电连接，所述第一开关管、第二开关管和第四开关管的控制端分别受控制信号控制。
2. 根据权利要求1所述的低压驱动电容负载的能量回收电路，其特征在于：所述的第四开关管为第二NMOS管，所述第二NMOS管的衬底引出线接地，所述第二NMOS管的漏极连接于节点A，所述的节点A与储能电容CST的上极板电连接，所述第二NMOS管的源极电连接于节点B，所述的节点B与电感L的第一导通端电连接，第二NMOS管的栅极分别受控制信号控制。
3. 根据权利要求2所述的低压驱动电容负载的能量回收电路，其特征在于：所述的低压驱动电容负载的能量回收电路还包括第三开关管，所述第三开关管的第二导通端与所述第四开关管的第二导通端电连接于节点B，所述的节点B与电感L的第一导通端电连接，所述第三开关管的第一导通端与所述第四开关管的第一导通端电连接于节点A，所述的节点A与储能电容CST的上极板电连接，所述第三开关管的控制端受控制信号控制。
4. 根据权利要求3所述的低压驱动电容负载的能量回收电路，其特征在于：所述的第一开关管为第一PMOS管，所述的第二开关管为第一NMOS管，所述的第三开关管为第二PMOS管，所述第二PMOS管的衬底引出线与电源VDD电连接，所述第二PMOS管的源极电连接于节点A，所述的节点A与储能电容CST的上极板电连接，所述第二PMOS管的漏极电连接于节点B，所述的节点B与电感L的第一导通端电连接，所述电感L与负载电容CL的上极板电连接于节点C，所述节点C分别与第一PMOS管的漏极以及第一NMOS管的漏极电连接，所述第一PMOS管的衬底引出线和源极均与电源VDD电连接，所述第一NMOS管的衬底引出线和源极均接地，所述第一PMOS管、第一NMOS管和第二PMOS管栅极分别受控制信号控制。
5.根据权利要求4所述的低压驱动电容负载的能量回收电路，其特征在于：所述的低压驱动电容负载的能量回收电路包括有反相器INV1，所述反相器INV1的输出端与所述第二PMOS管的栅极电连接，所述反相器INV1的输入端与第二NMOS管的栅极电连接于节点D，所述的节点D接收控制信号SC3。
6.根据权利要求1或2或3或4或5所述的低压驱动电容负载的能量回收电路，其特征在于：所述的负载电容CL的电容值小于或等于所述的储能电容CST的电容值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州硅星科技有限公司，未经杭州硅星科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110206962.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：浮动凹模修边冲孔模
- 下一篇：抗冰雪架空导线的内层型线
