[发明专利]霍山石斛试管苗的架空栽培方法

权利要求书

1.一种霍山石斛试管苗的架空栽培方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)平整土地：除去土地上的杂草，平整土地，并在地的四周开设排水沟渠；

(2)建棚：在基地上架设塑料大棚，在大棚内、外各铺设一层遮光率为60-80％的遮阴网，内、外遮阴网均可根据阳光强弱拉开和闭合，以便调节棚内光照强度，并在大棚的外围四周围设40-60目防虫网，在棚内铺设或架设自动或手动喷淋设备，用于调节棚内空气湿度和给石斛浇水；

(3)摆设立体栽培架：在大棚内依次摆放立体栽培架，在摆放时预留通道，立体架上方铺设有可承载种植基质或含有种植基质的栽培容器的网状物；

(4)大棚消毒：在种苗种植前的6-7天内，清理干净棚内的杂草，并按照10-50kg/667m²的要求在棚内均匀地撒上生石灰粉或喷洒消毒液消毒；

(5)种植基质的摆放：种植基质直接摆放在栽培架的网状物上面，或先摆放于栽培容器内，再将栽培容器置于栽培架的网状物上；

(6)种苗定植：在棚内温度达到10℃以上时，将试管栽培的种苗移栽到基质里；

(7)肥水管理：从种苗移栽后到根开始生长前，通过浇水或喷雾保持基质的湿润状态；在栽种的种苗的根开始生长后的5-30天内，向基质表面施有机肥，以后的栽培期间以3-6个月施肥一次；叶面喷洒无机肥，喷洒频率为每星期喷施一次；生长期间将大棚内空气相对湿度控制在60-90％范围之间；

(8)采收：按照上述方法栽培生长2年后，开始采收部分石斛，以后每年采收一部分，生长达到5年后全部采收完毕。

2.根据权利要求1所述的一种霍山石斛试管苗的架空栽培方法，其特征在于：所述的立体栽培架大小为长(2-30)m×宽(1-2)m×高(0.2-1.5)m；所述的栽培容器为种植框或穴盘或杯状物，种植框大小为长(20-50)cm×宽(20-50)cm×高(4-15)cm；穴盘或杯状物直径为3-20cm；

3.根据权利要求1所述的一种霍山石斛试管苗的架空栽培方法，其特征在于：所述的基质由上下两层组成，上层为具有保水性能的基质材料选自木屑、刨花、碎木块、小石子中的一种或多种混合物，上层基质厚度为5-15cm；下层基质为颗粒状固体材料选自碎红砖块、小石子、碎木块中的一种或多种，下层基质厚度为2-20cm。

4.根据权利要求1所述的一种霍山石斛试管苗的架空栽培方法，其特征在于：种苗移栽时，要求株距、行距分别为4-30cm；

5.根据权利要求1所述的一种霍山石斛试管苗的架空栽培方法，其特征在于：选择移栽种苗的标准：苗高2-5cm，有2-5片叶，有3-7条根。