[发明专利]织构化单晶有效
| 申请号： | 201110207976.2 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102268740A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | F·利纳尔;G·勒康;F-J·弗默施 | 申请（专利权）人： | 圣戈班晶体及检测公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄念;林森 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 织构化单晶 | ||
1.织构化单晶的制造方法，包括
●在单晶表面上沉积金属触点，接着
●在所述触点上和在触点之间的单晶上沉积保护层，接着
●用侵蚀金属比侵蚀保护层更迅速的第一化合物侵蚀该表面，接着
●用侵蚀单晶比侵蚀保护层更迅速的第二化合物侵蚀该表面，接着
●用侵蚀保护层比侵蚀单晶更迅速的第三化合物侵蚀该表面。
2.按照上述权利要求的方法，其特征在于，该金属选自Ag、Al、Au、Cr、Cu、In、Mo、Ni、Pt、Sn、Ti、W。
3.按照上述权利要求中一项的方法，其特征在于，该金属触点通过沉积金属层，随后在足以使金属的扩散引起触点形成的温度下进行热处理而获得的。
4.按照上一权利要求的方法，其特征在于，该金属层的厚度大于7nm。
5.按照上述两个权利要求之一的方法，其特征在于，该金属层的厚度小于40nm。
6.按照上述三个权利要求之一的方法，其特征在于，该热处理在高于Tf-650℃，特别在Tf-750℃至Tf的温度下实现，Tf是金属的熔化温度。
7.按照上述权利要求中一项的方法，其特征在于，该单晶是蓝宝石制的。
8.按照上述权利要求的方法，其特征在于，该第一化合物和该第二化合物包括硫酸和磷酸的溶液。
9.按照上述权利要求中一项的方法，其特征在于，该第一化合物和该第二化合物是相同的。
10.按照上述权利要求中一项的方法，其特征在于，该保护层是由硅IV化合物制成的，该硅IV化合物如氧化硅或氮化硅或氧氮化硅。
11.按照上述权利要求中一项的方法，其特征在于，保护层厚度在1至350nm之间。
12.按照上述权利要求中一项的方法，其特征在于，该第三化合物包括氢氟酸。
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