[发明专利]存储单元测试电路及其测试方法

权利要求书

1.一种存储单元测试电路，其特征在于，包括：

存储单元阵列，用于储存信息数据；

预充电电路，用于对所述存储单元阵列的位线进行预充电；

写电路，用于将数据写入所述存储单元阵列；

读取电路，用于感应所述存储单元阵列中的信息获得信号，并放大所述信号，通过驱动电路驱动所述信号到压焊点上，使得所述信号的电流满足测试仪器的驱动要求。

2.如权利要求1所述的存储单元测试电路，其特征在于，所述存储单元阵列包括：

4×4的存储单元，以及连接所述存储单元的八条位线和四条字线；在写操作时选择其中一条字线从低电平变为高电平，数据通过所述写电路写入所述存储单元并保存；在读操作的时候选择其中一条字线从低电平变为高电平，将所述存储单元中保存的数据读出。

3.如权利要求2所述的存储单元测试电路，其特征在于，所述预充电电路包括三个PMOS晶体管，当预充电控制信号DQ从高电平变为低电平时，所述预充电电路对所述位线进行充电，当预充电控制信号DQ从低电平变为高电平时，预充电电路停止对所述位线进行充电。

4.如权利要求2所述的存储单元测试电路，其特征在于，所述写电路包括两个与非门、两个反相器和两个传输门；当写信号WE从低电平变为高电平时候，输入数据通过与非门产生反相信号，正信号和反相信号分别通过两个反相器和两个传输门传输到两条反相位线完成写操作。

5.如权利要求2所述的存储单元测试电路，其特征在于，所述读取电路包括三个反相器和一个可控制反相器；

用于感应所述存储单元阵列中的信息获得信号包括：

当读操作时候，读取信号CE从低电平变为高电平，可控制反相器打开，存储的信息传递到位线上。

6.如权利要求5所述的存储单元测试电路，其特征在于，放大所述信号，通过驱动电路驱动所述信号到压焊点上包括：

所述位线上的信号通过前两级反相器送到已经打开的可控制反相器，最后输出到输出端，即感应所述存储单元阵列中的信息并通过灵敏放大器放大，然后通过驱动电路驱动灵敏放大器放大后的信号到压焊点上。

7.一种存储单元功能测试的方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据如权利要求1至6任意之一所述的存储单元测试电路中的预充电电路、写电路以及读取电路，设计布局版图，形成IP核，其中，压焊块个数与存储单元阵列中的存储单元的个数相等；

设计所述存储单元阵列的版图，将其嵌入于IP核中，连接信号完成待测试模块的版图设计；

根据所述待测试模块的版图设计生产待测试芯片；

将所述待测试芯片固定于载物台进行抗单粒子测试。