[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110208194.0 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102903666A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;徐金红 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
提供半导体基底，该半导体基底包含下部互连；
在所述半导体基底上形成电介质层；
在所述电介质层上形成暴露出所述下部互连的沟槽；
在所述电介质层上和所述沟槽中形成阻障层和种晶层；
采用化学电镀法沉积铜金属层，填满所述沟槽；
采用化学电镀法沉积铜合金层，覆盖于所述铜金属层上；
执行退火处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述铜合金层的掺杂元素为银，铝，锰中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学电镀法沉积所述铜金属层和/或铜合金层的电解液中包含五水合硫酸铜溶液和硫酸溶液。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述五水合硫酸铜溶液浓度范围为20～100g/L，硫酸溶液浓度范围为100～300g/L。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学电镀法沉积所述铜合金层的电解液中还包含硝酸银溶液。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述硝酸银溶液浓度范围为0～0.5g/L。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理的条件为：退火温度范围100～400℃，退火时间范围1～60分钟。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述退火处理后还包括去除所述铜合金层的多余部分直至露出所述电介质层表面的步骤。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括在露出所述电介质层和铜合金表面上形成一覆盖层的步骤。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述覆盖层为碳氮化硅层。
11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质层为低介电常数电介质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
