[发明专利]一种适用于快闪存储器的高密度铂纳米晶的制备方法

权利要求书

1.一种高密度铂纳米晶的制备方法，其特征在于，具体步骤为：首先，采用(MeCp)Pt(Me)₃蒸气和氧气作为反应前驱体，利用原子层淀积设备在衬底上淀积生长高密度铂纳米晶，其中，所述的反应前驱体(MeCp)Pt(Me)₃蒸气和氧气是以脉冲方式交替通入原子层淀积设备反应腔中，二者之间用惰性气体进行吹洗，如此进行若干次循环淀积；然后，对原子层淀积生长的高密度铂纳米晶，进行快速热退火处理，改变铂纳米晶的颗粒的形状、大小和密度，得到高密度铂纳米晶颗粒。 

2.如权利要求1所述的高密度铂纳米晶的制备方法，其特征在于，所述循环淀积中每个循环的具体操作步骤为：

步骤1，先向反应腔中通入惰性气体，然后向反应腔通入(MeCp)Pt(Me)₃蒸气，该(MeCp)Pt(Me)₃蒸气脉冲时间为0.25~2s；

步骤2，采用惰性气体吹洗反应腔，吹洗时间以反应腔内气压回复到最低气压值为准；

步骤3，向反应腔中通入氧气，该氧气的脉冲时间为50～200 ms；

步骤4，采用惰性气体吹洗反应腔，吹洗时间以反应腔内气压回复到最低气压值为准。

3.如权利要求2所述的高密度铂纳米晶的制备方法，其特征在于，所述的惰性气体是指不与反应源进行反应的气体，包含氮气或稀有气体。

4.如权利要求1或3所述的高密度铂纳米晶的制备方法，其特征在于，所述的快速热退火的退火温度是700 ~900 ⁰C，退火时间为15 ~ 60 s，退火的气氛为氮气或氩气。 

5.如权利要求1-4之一所述的高密度铂纳米晶的制备方法，其特征在于，所述的衬底由硅片及在硅片表面生长的一层均匀致密的绝缘薄膜组成，该绝缘薄膜是SiO₂，或者是高介电常数介质层Al₂O₃、HfO₂或La₂O₃，或者是由上述材料中的任两种或三种不同材料组成的叠层。

6.如权利要求5所述的高密度铂纳米晶的制备方法，其特征在于，所述的原子层淀积设备的反应腔内的工作气压为5～30 Pa，衬底的温度为250~350 ℃，用于清洗和作为载气的惰性气体的流量为80～100 sccm。

7.如权利要求5所述的高密度铂纳米晶的制备方法，其特征在于，制得的铂纳米晶颗粒密度超过1×10¹²cm^-2，横向平均直径为4～5nm。