[发明专利]触摸屏无效
申请号: | 201110208601.8 | 申请日: | 2011-07-25 |
公开(公告)号: | CN102902386A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 施博盛;郑建勇;陈柏仰;郑嘉雄 | 申请(专利权)人: | 天津富纳源创科技有限公司;识骅科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300457 天津市滨海新区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触摸屏 | ||
技术领域
本发明涉及一种触摸屏,尤其涉及一种电容式触摸屏。
背景技术
图1及图2为现有技术触摸屏100的结构示意图,该触摸屏100与一外部驱动感测电路200电连接。该外部驱动感测电路200向所述触摸屏100发送一驱动信号驱动该触摸屏100,所述触摸屏100在所述驱动信号的驱动下感测作用在该触摸屏100上的触摸动作,并发送一感测信号给所述外部驱动感测电路200。即,该外部驱动感测电路200与所述触摸屏100相互配合,完成该触摸屏100的感测外界触摸动作的功能。
所述触摸屏100包括一绝缘基板10、一第一矩形透明导电层11、一第二矩形透明导电层12、多个第一电极13、多个第二电极14、多个第一走线15及多个第二走线16。
所述绝缘基板10具有一第一表面101及一与所述第一表面101相对的第二表面102。所述第一矩形透明导电层11设置在所述第一表面101。所述第一电极13间隔设置在所述第一矩形透明导电层11的一长边并与所述第一矩形透明导电层11电连接。所述第一走线15的一端通过所述第一电极13与所述第一矩形透明导电层11电连接,所述第一走线15的另一端与所述外部驱动感测电路200电连接。即,所述第一矩形透明导电层11通过所述第一电极13、第一走线15与所述外部驱动感测电路200电连接。所述第二电极14间隔设置在所述第二矩形透明导电层12的一短边,并与所述第二矩形透明导电层12电连接。所述第二走线16的一端通过所述第二电极14与所述第二矩形透明导电层12电连接,所述第二走线16的另一端与所述外部驱动感测电路200电连接。即,所述第二矩形透明导电层12通过所述第二电极14、第二走线16与所述外部驱动感测电路200电连接。所述第一电极13的数量多于设置在所述第二矩形透明导电层12短边上的第二电极14的数量。此外,所述外部驱动感测电路200靠近所述第一矩形透明导电层11的短边设置。所述第一走线15分别从所述绝缘基板10的两侧走线并与所述外部驱动感测电路200电连接。所述第二走线16直接与所述外部驱动感测电路200电连接。
所述第一矩形透明导电层11为一具有整体结构的碳纳米管层,所述碳纳米管层具有电阻抗异向性且该碳纳米管层的最小电阻方向垂直于所述第一矩形透明导电层11的长边。由于该碳纳米管层并不能通过刻蚀工艺形成,故,所述第一走线15应在所述碳纳米管层铺设在所述绝缘基板10后,通过丝网印刷工艺或者其它工艺形成在该绝缘基板10上。由丝网印刷工艺所形成的第一走线15的间距约为160微米到200微米之间。
所述第二矩形透明导电层12为一经过图案化处理的氧化铟锡(ITO)层。该氧化铟锡层、第二电极14及第二走线16可以通过刻蚀工艺在同一工序完成,即,通过刻蚀的方法将所述氧化铟锡层、第二电极14及第二走线16形成在所述绝缘基板10上。该刻蚀工艺为目前能够使走线的间距达到最小值的工艺,即,该第二走线16的间距可达到30微米到80微米之间。
然而,现有的触摸屏100中,所述碳纳米管层的最小电阻方向垂直于所述第一矩形透明导电层11的长边设置,使与所述碳纳米管层电连接的第一电极13及第一走线15的数量大于所述第二电极14及第二走线16的数量,与此同时,该第一走线15之间的间距远大于所述第二走线16之间的间距,因此,从所述绝缘基板10的两侧走线的第一走线15的走线区域较大,故,缩减了触摸区域的面积占比,使所述触摸屏100与显示屏幕及边框的结构比例难以匹配。
发明内容
有鉴于此,确有必要提供一种走线区域面积占比比较合理的包含碳纳米管透明导电层之触摸屏。
一种触摸屏,包括一绝缘基板、一第一矩形透明导电层、多个第一电极以及多个第一走线,其中,所述绝缘基板具有一第一表面以及一与所述第一表面相对的第二表面,所述第一矩形透明导电层设置在所述第一表面;所述多个第一电极相互间隔设置在所述第一矩形透明导电层的短边,该多个第一电极电连接于所述第一矩形透明导电层及多个第一走线之间,所述第一矩形透明导电层为一碳纳米管层,该碳纳米管层具有电阻抗异向性且该碳纳米管层的最小电阻方向垂直于所述第一矩形透明导电层的短边。
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