[发明专利]修复具有漏电流问题的半导体结构的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置的制造，特别是涉及具有电性缺陷的半导体结构的修复。

背景技术

在半导体结构制造后，可对其进行漏电流测试以发现是否有漏电流问题。漏电流可能是由半导体结构存在的缺陷所引起。例如，当导电元件经由例如蚀刻、沉积、外延成长、退火等工艺所形成，可能会有悬丝(stringer)或悬桥(bridge)形成，其由导电元件延伸至介电层内。「悬丝」通常指丝状或线状的凸出物、或类似结构，其自导电元件向外伸出或凸出来。例如，钨(W)通常借由化学气相沉积工艺而填入沟渠以形成字元线，于化学气相沉积工艺中，使WF6及H2等来源气体(source gasses)反应而形成钨及氟化氢(HF)。副产物HF对硅氧化物具有腐蚀性。若沟渠衬垫(其通常包括TiN)的形成有瑕疵，HF可能会腐蚀沟渠的硅氧化物侧壁或底部而形成深的小洞。当钨原子沉积于沟渠的侧壁及底部时，此深洞也会被钨原子沉积，而成为所谓的悬丝。「悬桥」通常指柱状、锥状、楔状、片状或板状的凸出物或其类似结构，其自导电元件向外伸出或凸出来。当悬丝或悬桥很靠近另一个导电元件或是接触另一个导电元件时，于半导体结构操作中，会有不希望产生的电流经由此悬丝或悬桥在此二个导电元件间流动，造成漏电流问题。当漏电流严重时，会导致短路或其他问题。

于现有技术中，通常会对制得的半导体结构进行电性测试。由于晶圆重工不经济，及对于漏电流问题并无修复的解决办法，因此具有漏电流问题的半导体结构产品只能予以废弃。

因此，仍需要一种新颖的方法，以修复具有漏电流问题的半导体结构。

发明内容

本发明的目的是提供一种修复具有漏电流问题的半导体结构的方法，能够以经济的方式修复半导体结构。

依据本发明其中一具体实施例，修复具有漏电流问题的半导体结构的方法包括下列步骤。借由使用一电性测试装置对一半导体结构施加一测试电压(test voltage)而测出半导体结构具有漏电流问题。对半导体结构施加一强制电压(electric power stress)以使位于半导体结构的二个导电元件间的一悬丝或悬桥熔融或氧化。

附图说明

图1至图3为使用依据本发明的方法以修复导电元件间存在悬桥缺陷的半导体结构的一具体实施例的示意图。

图4至图6为使用依据本发明的方法以修复导电元件间存在悬桥缺陷的半导体结构的另一具体实施例的示意图。

图7至图9为使用依据本发明的方法以修复导电元件间存在悬丝缺陷的半导体结构的又另一具体实施例的示意图。

其中，附图标记说明如下：

具体实施方式

于一工艺制得一半导体结构的产品后，可对此半导体结构进行漏电流测试，若测出有漏电流问题，则可使用依据本发明的方法进行修复。依据本发明一具体实施例，修复具有漏电流问题的半导体结构的方法包括下列步骤。首先，借由对半导体结构施加来自电性测试装置的测试电压而找出具有漏电流问题的半导体结构。更具体的说明如下。半导体结构可包括一集成电路。例如，可为存储器结构，如：随机存取存储器(RAM)、唯读存储器(ROM)、及快闪存储器；功率装置；光学感测器等等，但不限于此。可以现有方式进行漏电流测试。使用电性测试装置所提供的测试电压(其于另一面相即为电流)施加于半导体结构以测试其是否具有漏电流。电性测试装置可为一现有结构。测试电压的大小(也可称为「值」)可在一漏电流测试可使用的电压的范围内，此范围可依据电性测试装置及被测试的半导体结构的使用规范、说明、或指引而定，或是依正常的测试条件而定。测试电压的一具体实施例可为例如1.5伏特，但不限于此。