[发明专利]选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺

权利要求书

1.一种选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其特征在于，包括：

在硅片上印刷硅墨；

向扩散炉内通入氧气，使所述硅片以及所述硅墨的表面均形成二氧化硅层；

向所述扩散炉内通入三氯氧磷进行扩散，使印刷有所述硅墨的区域形成重掺杂区，在所述硅片上未印刷所述硅墨的区域形成浅掺杂区。

2.如权利要求1所述的选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其特征在于，向所述扩散炉内通入三氯氧磷进行扩散后，升高温度使磷在所述硅片中进行高温再分布。

3.如权利要求2所述的选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其特征在于，所述高温再分布的时间为1000秒～3000秒，工艺温度为850℃～950℃。

4.如权利要求2所述的选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其特征在于，升高温度使磷在所述硅片中进行高温再分布之后，进行降温使磷在硅片中再分布。

5.如权利要求4所述的选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其特征在于，降温使磷在硅片中再分布的时间为1000秒～2500秒，工艺温度为780℃～820℃。

6.如权利要求1所述的选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其特征在于，将所述硅片清洗制绒后通过丝网印刷技术在所述硅片上印刷所述硅墨。

7.如权利要求1所述的选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其特征在于，形成所述二氧化硅层的工艺温度为780℃～820℃，通入的氧气流量为500立方厘米/分钟～1000立方厘米/分钟。

8.如权利要求1所述的选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其特征在于，通过氮气将所述三氯氧磷携入所述扩散炉，在氧气的共同作用下进行扩散。

9.如权利要求8所述的选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其特征在于，所述扩散的时间为800秒～1500秒，扩散的温度为780℃～820℃，氧气的流量为400立方厘米/分钟～800立方厘米/分钟，所述小流量氮气的流量为800立方厘米/分钟～2500立方厘米/分钟。

10.如权利要求9所述的选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其特征在于，加大氧气的流量，在所述硅片的表面形成磷硅玻璃。

11.如权利要求10所述的选择性发射极晶硅太阳能电池的一次性扩散工艺，其特征在于，形成所述磷硅玻璃过程的时间为500秒～1000秒，工艺温度为780℃～820℃，氧气的流量为6000立方厘米/分钟～13000立方厘米/分钟。